■第77回応用物理学会秋季学術講演会
 結晶工学分科会・講演会中分類共催シンポジウム■

共催中分類:15.4 V-X族窒化物結晶, 15.6 W族化合物, 15.8 結晶評価,不純物・結晶欠陥
「古くて新しい点欠陥
〜材料を越えた視点から見えてくるもの〜 」
平成28年9月13日13:30〜(予定)
朱鷺メッセ(新潟県新潟市)
*応用物理学会講演会会場


 原子空孔や格子間原子および不純物原子を含めた点欠陥は、格子欠陥の基本単位となる重要なものです。半導体結晶中では、点欠陥は強く相互作用し、それぞれの拡散や析出の挙動に影響を与え、結果的に材料物性やデバイス特性を大きく左右します。このような点欠陥の物性については長い研究の蓄積があり、今日では産業応用で無視できない要素となっています。高純度かつ無転位の結晶が得られるシリコンでは、点欠陥濃度が精密に制御された完全結晶の育成が実現しており、また点欠陥の析出や不純物のゲッタリングは欠かせない基盤技術となっています。また、窒化物やSiCなどの化合物半導体結晶においても、転位や積層欠陥密度の低減にともなって、点欠陥の重要性はますます高まっています。このように研究が盛んに行なわれているにもかかわらず、点欠陥の研究は多岐にわたるため、結晶材料、デバイス用途、研究手法ごとに議論されることが多く、研究が深化、細分化してきている近年はますますその傾向が高まっていると感じます。
 そこで本シンポジウムでは、半導体結晶において共通に重要な欠陥である点欠陥について、互いの研究成果を共有し、更なる研究促進を促すことを目的とします。Si、SiC、窒化物結晶などの幅広い材料・デバイスについて、点欠陥の視点から最先端の研究をご紹介いただきます。また関連分野からの一般講演も予定しています。皆様のご参加を心よりお待ちしております。


招待講演者(敬称略)および講演題目
米永一郎(東北大学)
          「点欠陥研究の現状と課題」
宝来正隆(SUMCO)
          「Si結晶育成における点欠陥制御」
荒木浩司(グローバルウェーハズ・ジャパン)
          「超高温RTP技術によるSiウェーハの点欠陥制御」
末岡浩治(岡山県立大学)
          「第一原理計算による半導体結晶中の真性点欠陥に関する研究」
上殿明良(筑波大学)
          「陽電子消滅による点欠陥の評価 −Si、窒化物から金属、絶縁体まで−」
木本恒暢(京都大学)
          「SiCの材料・デバイス特性から見た点欠陥」


世話人:沓掛健太朗(東北大学)、小野敏昭(SUMCO)、片山竜二(大阪大学)、矢野裕司(筑波大学)

問合せ先: 沓掛健太朗 TEL:022-215-2044, FAX:022-215-2041,
           e-mail: kutukake@imr.tohoku.ac.jp



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