■第77回応用物理学会秋季学術講演会シンポジウム■

「窒化物半導体の最前線
−欠陥のない結晶・デバイスを目指して− 」
平成28年9月14日
朱鷺メッセ(新潟県新潟市)
*応用物理学会講演会会場
1 13:00〜13:05 はじめに 天野 浩、白石 賢二(名大)
2 13:05〜13:35 窒化物デバイスの新展開 葛原 正明(福井大)
3 13:35〜14:05 GaNバルク結晶成長の新展開 森 勇介(阪大)
4 14:05〜14:35 GaNエピタキシャル成長の新展開

松岡 隆志(東北大)

5 14:35〜15:05 GaN結晶成長シミュレーションの新展開:
第一原理計算に基づくアプローチ
寒川 義裕(九大)
      15:05〜15:20 休 憩
6 15:20〜15:50 GaN系トランジスタにおける界面制御 橋詰 保(北大)
7 15:50〜16:20 GaN電子デバイスの可能性

清水 三聡(産総研)

8 16:20〜16:50 GaNパワーデバイスの現状

須田 淳(京大)

9 16:50〜17:20 GaN高周波デバイスの現状 原 直樹(富士通研)
10 17:20〜17:50 GaN光デバイスの現状 牛田 泰久(豊田合成)


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