応用電子物性分科会研究例会

窒化物半導体電子デバイスの最近の進展

窒化物半導体高周波デバイスの高出力化は目覚しく、携帯電話基地局用デバイスとして実用化されるようになった。本研究例会では、他の応用も視野に入れた高性能化に関する研究開発の現状および今後の展望を議論する。

開催日時：2006年 1月25日（水）　13：00〜17：00
場所：東京理科大学理窓会館３階第１・第２会議室　（東京都新宿区神楽坂2-13-1末よしビル３階(最寄駅：飯田橋)）
https://risoukai.rikadai.jp/risoukai/activities/hall.html#gaiyou
演題：
13:05〜13:40 (1) Cat-CVD法により保護膜形成したC帯100W超級AlGaN/GaN HEMT，加茂宣卓、國井徹郎、竹内日出雄、山本佳嗣、戸塚正裕、志賀俊彦、巳浪裕之、北野俊明、宮国晋一、奥友希、井上晃、南條拓真、千葉博、吹田宗義、大石敏之、阿部雄次、津山祥紀、白花良治、大塚浩志、弥政和宏、山中宏治、檜枝護重、中山正敏、石川高英、高木直、丸本健二（三菱電機）
13:40〜14:15 (2) 高周波AlGaN/GaN HEMT，東脇正高、松井敏明（情報通信研究機構）、三村高志（富士通研究所）
14:15〜14:50 (3) InAlGaN 4元混晶キャップ層によるAlGaN/GaN HFETの寄生抵抗低減，中澤敏志、上田哲三、井上薫、田中毅（松下電器産業）、石川博康、江川孝志（名古屋工業大学）

14:50〜15:05 ―休憩（15分）―

15:05〜15:40 (4) リセスゲートを用いたノーマリオフAlGaN/GaN HEMT，川崎健、中田健、八重樫誠司（ユーディナデバイス）
15:40〜16:15 (5) AlGaN/GaN MIS-HFETのEモード動作メカニズム，大野泰夫、菊田大悟（徳島大学）
16:15〜16:50 (6) GaN基板上AlGaN/GaN構造エピタキシャル成長と評価，田辺達也、三浦広平、橋本信、宮崎富仁、櫻田隆、木山誠、瀬村滋　（住友電気工業）

参加費：当日受付（テキスト代・消費税込み）分科会会員　無料、応用物理学会会員（非分科会会員）：3,000円、一般：4,000円、学生：1,000円
問合せ先：
原 直紀（富士通研究所）E-mail: hara_at_kahan.flab.fujitsu.co.jp
中川 敦（新日本無線）E-mail: a.nakagawa_at_njr.co.jp
津田 邦男(東芝)　E-mail: kunio.tsuda_at_toshiba.co.jp