応用電子物性分科会研究例会

先端半導体デバイス製造技術を押し上げる
最近の低温薄膜形成技術

半導体デバイスの開発には欠かせない製造装置、製造技術について、近年、多様な新技術が開発されてきており、実用化も活発化しております。先端の半導体デバイス開発のために注目されている、低温、低ダメージなど特徴ある薄膜形成技術について、現在、第一線でご活躍の方々に、最前線の技術と今後の期待についてご講演頂きます。薄膜形成に関する研究者のみならず、半導体デバイス研究者など広い分野の皆様からのご参加をお待ちしております。

開催日時：2006年 5月12日（金）　12：30〜16：50
場所　　：東京理科大学 理窓会館3階 第1・第2会議室（東京都新宿区神楽坂2-13-1　末よしビル3階（最寄駅：飯田橋）　
演題：
12:35〜13:15　(1) 基調講演「低温成膜技術の開発と課題」　中山　弘（大阪市立大学＆MDF）
13:15〜13:55　(2)C a t - C V D法の基礎と最近の展開　大平圭介、松村英樹（北陸先端科学技術大学）
13:55〜14:35　(3) 大気圧プラズマによる低温・高速C V D技術　垣内弘章（大阪大学）
―　休憩（15分）―
14:50〜15:30　(4) 低ダメージ新対向ターゲット式スパッタ技術　門倉貞夫　（FTS Corp.）
15:30〜16:10　(5) P L D法によるG a Nの室温エピタキシャル成長　藤岡　洋（東京大学）
16:10〜16:50　(6) 高密度プラズマによる高速CVD技術　堀　勝（名古屋大学）

参加費：当日受付(テキスト代・消費税込み) 分科会会員：無料，応用物理学会会員（非分科会会員）：3,000円，一般：4,000円，学生：1,000円

問合せ先：
佐野 芳明（沖電気）：E-mail: sano567_at_oki.com
徳光 永輔（東工大）：E-mail: tokumitu_at_neuro.pi.titech.ac.jp
須原 理彦（首都大学東京）：E-mail: suhara_at_eei.metro-u.ac.jp