応用物理学会　応用電子物性分科会主催
応用電子物性分科会研究例会（結晶工学分科会 連携研究会）

窒化物半導体光デバイスの最前線
～ デバイスと光物性 ～

　窒化物半導体は、青色や白色のLED、青紫色半導体レーザなどに用いられ、高信頼・低環境負荷の光デバイス材料として既に確固たる地位を築いていますが、近年の結晶成長・評価技術の進歩や光物性の理解により、波長範囲の拡大や太陽電池への応用など、さらなる展開が期待されております。
今回も、昨年に引き続き、「応用電子物性分科会と結晶工学分科会との連携企画」による研究例会として、応用電子物性分科会では窒化物半導体の光物性と光デバイス応用を中心に、結晶工学分科会では基板・エピ成長と評価技術を中心に構成し、連続した日程で開催します。

開催日時：2012年 6月14日（木）10:30 - 16:50

場所：京都テルサ 第一会議室（西館３階）
　　　［京都市南区東九条下殿田町70番地
　　　　ＪＲ京都駅八条口西口より南へ徒歩約15分：http://www.kyoto-terrsa.or.jp/access.html］

後援：日本学術振興会 第161 委員会・第162 委員会，
　　　日本結晶成長学会，
　　　応物学会 SiC 及び関連ﾜｲﾄﾞｷﾞｬｯﾌﾟ半導体研究会

演題：

(1) 10:30-10:35
　　応用電子物性分科会幹事長 挨拶

(2) 10:35-11:30
　　【基調講演】「窒化物半導体発光デバイスの現状と挑戦　- 光物性の理解と制御によるアプローチ -」
　　　川上 養一（京都大学）

(3) 11:30-12:10
　　「GaN系薄膜における励起子非弾性散乱過程による発光と誘導放出」
　　　中山 正昭（大阪市立大学）

　- 昼休み（12:10-13:20）-

(4) 13:20-14:00
　　「MOVPE成長におけるIn組成制御と全可視域InGaN系LEDの実現」
　　　大川 和宏、出浦 桃子（東京理科大学）

(5) 14:00-14:40
　　「窒化ガリウム基板を用いた高効率・高演色白色LEDの開発」
　　　下山 謙司（三菱化学）

(6) 14:40-15:20
　　「10mW超級AlGaN系DUVLEDの商業化と今後の課題」
　　　一本松 正道（創光科学）

　- 休憩（15:20-15:30）-

(7) 15:30-16:10
　　「InGaN系LEDの長波長化への挑戦　- 赤色～赤外域発光 -」
　　　岸野 克巳（上智大学）

(8) 16:10-16:50
　　「窒化物半導体高効率太陽電池への挑戦　- SMART太陽電池の提案 -」
　　　吉川 明彦（千葉大学）

受付：こちらから事前登録をお願いいたします．

参加費（テキスト代・消費税込：当日，会場にてお支払い下さい．）
　　　　　応用電子物性分科会／結晶工学分科会 会員：3,000円，
　　　　　両分科会 学生会員：1,000円
　　　　　応用物理学会 会員（非分科会会員）：6,000円，
　　　　　一般：10,000円，
　　　　　一般学生：2,000円

　※今回は、特別企画のため、通常の研究例会とは参加費が異なっています。
　　また、翌日開催の結晶工学分科会主催研究会とは、それぞれ別に参加費が必要です。
　　ご了承下さい。
　　なお、両分科会の賛助会社の方は分科会会員扱い(3,000 円)とします。
　　当日ご入会の方も応電分科会会員扱いとします。

問合せ先：山田　明（東京工業大学）　E-mail: yamada.a.ac＠m.titech.ac.jp［分科会幹事長］
　　　　　山口敦史（金沢工業大学）　E-mail: yamaguchi＠neptune.kanazawa-it.ac.jp
　　　　　土屋忠厳（日立電線）　　　E-mail: tsuchiya.tadayoshi＠hitachi-cable.co.jp
　　　　　三宅秀人（三重大学）　　　E-mail: miyake＠elec.mie-u.ac.jp
　　　　（スパム対策のため，上の"＠"は全角になっています．半角の"@"に置き換えて下さい．）

連携研究会のご案内：

翌日の6月15日(金) に
「窒化物半導体光デバイスの最前線　～ 基板・エピ成長と評価技術 ～」
が結晶工学分科会主催にて同じ京都テルサで開催されます。

＊結晶工学分科会主催研究会の参加費は、同分科会の案内に従ってお支払いください。
　応電分科会会員の皆様も会員割引となりますので，併せて参加をご検討ください。
　詳細は結晶工学分科会のホームページをご覧下さい。

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