応用物理学会　応用電子物性分科会主催
応用電子物性分科会７月研究例会

ナノ構造を利用した高機能光デバイスの進展

　近年量子ドットを利用した光デバイスや量子カスケードレーザなどナノ構造を積極的に利用した光デバイスが注目されています．
　そこで，本研究例会では，ナノ構造を利用した光デバイス開発において第一線で活躍されている研究者の皆様をお招きし，最新の成果と今後の展望についてご講演いただきます．

開催日時：2014年 7月30日（水）13:00 - 16:50（開場 12:30）

場所：首都大学東京　秋葉原サテライトキャンパス B+C室
　　　（東京都千代田区外神田1-18-13 秋葉原ダイビル 12階）
　　　　http://www.tmu.ac.jp/university/campus_guide/access.html

演題：

13:00-13:05
　　応用電子物性分科会幹事長 挨拶

(1) 13:05-13:40
　「選択成長とダブルキャップ法を用いたアレイ導波路型InAs量子ドットLEDの広帯域化」
　　下村 和彦（上智大学）

(2) 13:40-14:15
　「光電子融合集積回路の実現に向けたシリコン上III-V量子ドットレーザの進展」
　　田辺 克明、荒川 泰彦（東京大学）

(3) 14:15-14:50
　「量子ドットの高速フォトダイオード応用」
　　梅沢 俊匡、赤羽 浩一、山本 直克、菅野 敦史、川西 哲也（NICT）

　- 休憩（15分）-

(4) 15:05-15:40
　「サブバンド間遷移を利用した超高速光信号処理デバイスの開発」
　　秋本 良一（AIST）

(5) 15:40-16:15
　「InP系2μm波長帯レーザの作製と応用」
　　佐藤 具就、満原 学、吉村 了行、神徳 正樹（NTTフォトニクス研究所）

(6) 16:15-16:50
　「ブロードバンド量子カスケードレーザ」
　　藤田 和上（浜松ホトニクス株式会社）

参加費（テキスト代・消費税込：当日，会場にてお支払い下さい．）
　　　　　分科会会員：2,000円
　　　　　応用物理学会会員（非分科会会員）：5,500円
　　　　　一般：8,000円
　　　　　学生：1,000円

問合せ先：赤羽 浩一（NICT）E-mail: akahane＠nict.go.jp
　　　　　荒川 太郎（横国大）E-mail: arakawa＠ynu.ac.jp
　　　　（スパム対策のため，上の"＠"は全角になっています．半角の"@"に置き換えて下さい．）

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