第12巻 第1号 2006
- 巻頭言「窒化物トランジスタへの大きな期待」 葛原正明（福井大学）
- 2005年12月21日研究会報告
- 2006年1月25日研究会資料
- Cat-CVD法により保護膜形成したC帯100W超級AlGaN/GaN HEMT
- 高周波AlGaN/GaN HEMT
- InAlGaN 4元混晶キャップ層によるAlGaN/GaN HFETの寄生抵抗低減
- リセスゲートを用いたノーマリオフAlGaN/GaN HEMT
- AlGaN/GaN MIS-HFETのEモード動作メカニズム
- GaN基板上AlGaN/GaN構造エピタキシャル成長と評価
第12巻 第2号 2006
- 巻頭言「『ものづくり日本』を担った先輩たちへの恩返し」 中山弘（大阪市立大学/MDF）
- 応用電子物性分科会幹事長就任にあたって
- 応電2005年度事業報告、2006年度活動予定
- 応電2005年度収支決算、2006年度収支予算
- 2006年度幹事一覧
- 2006年1月25日研究例会報告
- 2006年3月24日応電分科会会員の集い、総会報告
- 2006年5月12日研究会資料
- 低温成膜技術の開発と課題 - 低温成長試論 - [基調講演]
- Cat-CVD法の基礎と最近の展開
- 大気圧プラズマによる低温・高速CVD技術
- 低ダメージ新対向ターゲット式スパッタ技術
- PLD法によるGaNの室温エピタキシャル成長
- 高密度プラズマを用いた高速CVD技術
第12巻 第3号 2006
- 巻頭言「パワーエレクトロニクス」 大橋弘通（産業技術総合研究所）
- 2006年5月12日研究例会報告
- 2006年秋季第67回学術講演会 企画シンポジウム案内
- 2006年10月17日研究例会案内
- 幹事会議事録
- 2006年7月27日研究会資料
- ワイドバンドギャップ半導体が拓くパワーエレクトロニクスのパラダイムシフト
- ノーマリオフ型600V耐圧SiC接合FET
- SiCパワーMOSFETの開発
- AlGaN/GaN高耐圧スイッチ
- 立方晶GaN/AlGaN/3C-SiC HEMT技術の展望
第12巻 第4号 2006
- 巻頭言「スピンエレクトロニクス：期待と課題」 安藤功兒（産業技術総合研究所）
- 2006年 7月27日研究例会報告
- 2006年 10月17日研究会資料
- スピントランジスタに向けてのスピン電界制御
- 金属中の純スピン流の生成と検出
- MRAM開発の最新動向
- TMR膜のHDD用薄膜磁気ヘッドへの応用
- TMRロジックとその応用
第12巻 第5号 2006
- 巻頭言「強誘電体薄膜の新展開への期待」 奥山雅則（大阪大学）
- 2006年 10月17日研究例会報告
- 2006年 12月19日研究例会資料
- ガーネットフェライト薄膜における室温マルチフェロイック物性
- 非線形誘電率顕微鏡を用いた超高密度強誘電体データストレージ
- MOCVD法による強誘電体ナノ構造の作製と物性
- 強誘電体メモリと応用デバイスの設計
- VDF/TrFE共重合体を用いたフレキシブル有機トランジスタメモリ
- 強誘電体ゲートによる超伝導体の局所物性制御