プラズマエレクトロニクス分科会　第３４回新領域研究会　開催のご案内

未曽有の災禍の中ご苦労はいかほどかと拝察致します。

この度、プラズマエレクトロニクス分科会主催により下記の通り第３４回新領域研究会を１０月２１日に開催いたします。

プラズマプロセスにおける普遍的な問題であるプロセス起因の欠陥に関する新生面を議論する研究会としたく思います。
皆様奮ってのご参加をどうぞよろしくお願い申し上げます。

参加登録は、以下のリンクより情報を入力ください。
https://docs.google.com/forms/d/e/1FAIpQLSedZUhP03MmFeAD6yCUQJvYjj5-txCxKIEERmhYrTKj-y99vg/viewform

※今回の新領域研究会は、コロナ禍での研究交流機会の多様化に資することを念頭に置いて、「公開研究会」として開催致します。


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応用物理学会プラズマエレクトロニクス分科会　第３４回プラズマ新領域研究会
「プラズマプロセスにおける欠陥生成に関する新生面」研究会

主催：応用物理学会プラズマエレクトロニクス分科会

日程：２０２０年１０月２１日（水）
開始時間：１３時００分（受付開始１２時００分）
会場：オンライン（WebEXを予定。アドレス等は参加登録者に送付します）
参加費：無料

お問い合わせ：koga@ed.kyushu-u.ac.jp

概要：
半導体プロセスに用いられているプラズマでは、イオン流入やラジカルの表面反応により欠陥が生成する。プラズマプロセスにおける欠陥抑制は電子温度制御とともに長年の課題である。近年の計測やモデリング研究の進展に伴い生成機構の理解が進むとともに、欠陥の活用についても検討され始めている。
本研究では、以下２点の問いを中心に欠陥生成に関する新生面を掘り下げる研究会としたい。
１）プラズマでどこまでダメージを低減したプロセスができるのか。
（プラズマCVDなら、単結晶レベルの欠陥密度の薄膜作製できるか？）
２）欠陥生成を制御して、これを利用する技術の創成はありうるか。

プログラム案：
※講演時間30分＋質疑30分
※全て招待講演、講演者は敬称略

13:00- 13:10　九州大学　古閑一憲：開催の挨拶と趣旨説明　
13:10- 14:10　パナソニック　佐藤好弘：プラズマと固体表面における欠陥生成機構の高感度解析
14:10- 15:10　東北大学　黒田理人：半導体デバイスにおける欠陥評価（仮）
15:10- 16:10　産業技術総合研究所　布村正太：プラズマCVDにおける欠陥生成と消滅機構の解析（仮）
（休憩　20分）
16:30- 17:30　山梨大学　佐藤哲也：低温プラズマを用いたa-C:H薄膜の欠陥抑制（仮）
17:30- 18:30　産業技術総合研究所　加藤宙光：量子センシング応用に向けたプラズマCVD法によるダイヤモンドNVセンターの生成

19:30- 21:30　オンライン討論兼懇親会（Remoを予定）