第24回 プラズマエレクトロニクス講習会
〜 プラズマプロセスの基礎と応用・制御技術の最前線 〜主催： 応用物理学会プラズマエレクトロニクス分科会
協賛（依頼中）： AEC/APCシンポジウム、ドライプロセスシンポジウム、日本物理学会、電気学会、プラズマ・核融合学会、日本化学会、電子情報通信学会、放電学会、日本真空協会 （一部打診中）
日時： 2013年11月8日（金） 9:30〜18:00
場所： 東京大学 本郷（浅野）キャンパス 武田先端知ビル5F 「武田ホール」
東京都文京区弥生 2-11-16 (千代田線根津駅 あるいは 南北線東大前駅下車)
会場へのアクセス： http://www.u-tokyo.ac.jp/campusmap/cam01_04_16_j.html
概要／プログラム：
プラズマプロセスは、エレクトロニクス分野の先進デバイス開発の基幹技術であると共に、医療やエネルギー・環境応用を始めとする幅広い分野でも欠くことのできない基盤技術となりつつあります。この背景を踏まえ、本講習会では開発・製造の現場で必要とされるプラズマの生成、制御、モニタリング技術の基本を、各分野にて第一線でご活躍の先生方よりご講義頂きます。また今回は半導体製造設備管理の国際学会であるAEC/APC Symposium Asia 2013（※）のご協力も頂き、プラズマ技術の基礎と先端応用、さらには量産現場での制御まで実務として使えるプラズマ技術についてご紹介致します。初学者から先端の研究者まで幅広い皆様のご参加をお待ち申し上げます。
※http://www.semiconportal.com/AECAPC/
■■ 第１部 プラズマプロセスの基礎 ■■ (930〜12：10)1. 『プラズマの基礎とＣＶＤ技術』 大阪市立大学 白藤 立 先生
プラズマプロセスは、各種診断法によってその内部パラメータ（電子温度，電子密度，ラジカルフラックス，イオンフラックスなど）が解明され、普遍的な理解が進んだ。この理解を基にして、適切なプロセス設計を行うためには、そうした内部パラメータと直接操作可能な装置パラメータ（圧力，流量，基板温度，装置形状，印加電圧周波数など）との関係も知っておく必要がある。この関係はかなり複雑であるが、既知の報告例やシミュレーション結果を用いて説明し、プロセス設計に活かせる情報提供となるようにしたい。2. 『装置、計測とドライエッチング技術』 東京エレクトロン宮城（株） 大矢 欣伸 先生
ドライエッチングのプロセス開発においては、プラズマ源とガスケミストリーの選択を行った上で、エッチング条件を最適化していく必要がある。本講義では、プロセスプラズマの物理と化学の原理を踏まえながら、どのようにプロセスを構築していくべきかの考え方を解説する。また、半導体製造装置開発の視点から、光学的モニタリング技術や基盤的計測技術を中心にプラズマ計測法についても概説する。
■■ 第２部 プラズマ技術の最前線 ■■ (13:30〜18:00)3. 『先端プロセスとプラズマダメージ』 京都大学 江利口 浩二 先生
現在，最先端の集積回路では，最小寸法が20nmレベルのトランジスタが数十億個搭載されている．このような領域では，プラズマと加工される材料との反応を原子レベルで制御することが必須である．しかしながら，プラズマの高い反応性による想定外の好ましくない反応（〜プラズマダメージ）が生じ，近年，それによるデバイス特性劣化が問題となっている．本講義ではプラズマダメージについてその形成メカニズムとデバイスへの影響，そしてその将来展望について論じる．4. 『設備管理（EES/FDC等）技術』 パナソニック（株） 安田 哲 先生
半導体業界では、デバイスの微細化に伴い、製造装置の変動による製品の歩留や品質低下が発生しやすくなっていることから、製造装置の管理技術の一つとしてEES技術（装置データのモニタリング）が近年注目され、活用されている。本技術には装置の異常検知（FDC: Fault Detection and Classification）や仮想計測（VM: Virtual Metrology）等があるが、それら技術の量産工場における実用化事例の最前線を紹介し、今後の展望、課題について論じる。5. 『マルチスケールシミュレーションによる半導体装置・プロセスの適正化』 （株）東芝 高木 茂行 先生
半導体装置の反応やプロセスの加工形状をシミュレーションで予測し、適正化に結びつける多くの試みがなされてきたが、十分な成果をあげるまでには至らなかった。プロセス反応を気相、輸送、表面の３段階から成るマルチスケールでモデリングする方法、実験結果から反応定数を予測する手法を導入することで、実プロセスの適正化を可能とした。本講義では、マルチスケールシミュレーションの例として酸化膜のドライエッチングを取り上げ、実プロセスへの適用例としてLP-CVDの均一化、CVD装置のダスト低減、について論じる。6. 『プラズマを応用したナノバイオ技術』 東京大学 一木 隆範先生
現在、プラズマ技術を如何にバイオ分野へと展開していくかが模索されている。機器、デバイスを医療や診断などのバイオ分野に利用する際に、生体や生体分子に適合した表界面の形成は重要な課題であり、ここにプラズマのバイオ応用の機会が在ると期待されている。本講演では、バイオ界面工学の基礎的な知識を実例を交えて概説し、プラズマ技術の特徴を他の表面技術との比較も含めて論じ、新たなプラズマ技術の方向性を考える。※各講義は日本語で行います
参加費： テキスト代を含む。
一般 学生 応用物理学会・プラズマエレクトロニクス分科会 個人会員 18,000円 4,000円 応用物理学会 個人会員（※） 21,000円 5,000円 プラズマエレクトロニクス分科会のみの個人会員 22,000円 6,000円 協賛学協会・応用物理学会 法人賛助会員 22,000円 6,000円 その他 25,000円 9,000円 ※非会員の方でも参加申込時にPE分科会（年会費 3,000円）に入会頂ければ、会員扱いとさせて頂きます。
定員： 100名
申込締切： 2013年11月1日（金）(10月25日から延長しました)
（※Web申し込み期限11/1。参加費入金（11/7まで）の確認をもって申し込み完了といたします。）申込方法：
下記のをクリックして、登録用フォームにお進みください。
※ 参加証は当日会場にてお渡しいたします。
参加費振込先：
三井住友銀行 本店営業部 普通預金
口座番号 3339808
(公社) 応用物理学会 プラズマエレクトロニクス分科会
参加費振込期限： 2013年11月1日(金)
開催内容問合せ先： 辰巳 哲也 （ソニー、担当幹事代表）
e-mail： Tetsuya.Tatsumi@jp.sony.com
申し込み手続き問合せ先： 上村さつき（応物事務局）
Tel: 03-5802-0863
FAX:03-5802-6250
e-mail： kamimura@jsap.or.jp
担当幹事：
池田 太郎 （東京エレクトロン山梨）、市川 尚志 （東芝）、前田 賢治 （日立製作所）、南部 英高（ルネサスエレクトロニクス）、松隈 正明（東京エレクトロン）、和田 昇 （三菱電機）
