◇第４１回シリサイド系半導体研究会のご案内
日時： 2023年9月28日（木） 15:00〜17:00
ご案内: 参加登録後、ZoomのURLをメールにてお送りいたしますので、当日ご参加ください。
主旨： 固相成長法はシリサイド半導体薄膜の代表的な作製方法の一つであり、近年は，Si,Ge, Snを中心とした固相成長技術が展開されています。今回の研究会では、固相成長法を中心としたシリサイド半導体薄膜に関する最新の研究成果を第一線でご活躍の先生に紹介していただきます。 また、近年，熊本エリアを中心に半導体産業が活性化しており，その中で半導体人材育成が重要視されています。今回の研究会では、この人材育成に携わっている高等専門学校の先生から、最近の動向について紹介していただきます。
題目：「絶縁膜上における半導体薄膜の高品位形成−固相成長法を中心に−」
（九州大学 大学院システム情報科学研究院・佐道 泰造）
要旨：集積回路やディスプレイの高性能化には、Siよりも優れた電子・光物性を有する新材料を用いてデバイスを構成する手法が有効である。本講演では、固相成長法を中心に、絶縁膜上におけるIV族およびIII-V族半導体薄膜を高品位形成する手法について紹介する。
題目：「国立高等専門学校機構における半導体人材育成事業について」
（熊本高等専門学校 情報通信エレクトロニクス工学科・高倉 健一郎）
要旨：昨今の半導体産業の活発化をうけて、半導体人材が求められている。国立高等専門学校機構では、半導体産業界への人材輩出を喫緊の使命として産業界・官公庁などと連携を図りながら人材育成の方法を検討し、教育実践を始めている。半導体産業は幅広い専門分野の人材が求められ、多分野の学生に半導体産業と自身の専門との関係性を伝え、この分野に目を向けさせることも重要である。今回は、高専の半導体人材育成の取り組みを紹介する。
プログラム（講演者 敬称略）
参加費：
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