◇第４２回シリサイド系半導体研究会のご案内
日時： 2024年3月27日（水） 15:00〜17:00
ご案内: 参加登録後、ZoomのURLをメールにてお送りいたしますので、当日ご参加ください。
主旨：「熱電現象に関連した特異な物性」
本研究会は、シリサイド半導体を中心に、基礎・応用物性およびデバイス応用の研究を促進することを目的にしています。今回の研究会では、熱電現象に関連した特異な電子物性に関する理論的研究について、若手の研究者から詳細な内容を聴講する機会を設定しました。ご参加いただければ幸甚です。
題目：「バンド理論に基づくゴニオ極性熱電材料の理論的研究」
（島根大学・自然科学研究科・臼井 秀知）
要旨：通常の熱電デバイスでは電流方向と熱流方向が同方向の縦型素子が使われる。この素子では電極が高温に晒されるなどの問題が生じるため、これらの問題を解決する、電流方向と熱流方向が直行する横型素子の研究が行われている。本講演では、横型熱電素子として有望なゴニオ極性熱電材料に焦点を当て、バンド理論に基づく解析から、高性能熱電材料の設計指針について紹介する。
題目：「希薄不純物を含むMg2Siの電子状態および熱電物性の理論解析」
（島根大学・次世代たたら協創センター・平山 尚美）
要旨：熱電物質に対する従来の理論研究では、スーパーセル構造に基づく電子状態計算が一般的に用いられてきた。しかし、スーパーセル法では、計算コストの高さから、実験で用いられる不純物濃度（〜1% 以下）を再現することは困難である。本研究では、Mg2Siの電子状態と熱電特性に対する不純物ドープ効果の定量的な理論予測に向けて、KKR-CPA法に基づく計算を実行した。発表では、電気伝導率とゼーベック係数の計算結果を実験と比較し、この手法の精度について議論する。
プログラム（講演者 敬称略）
参加費：
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