◇第４３回シリサイド系半導体研究会のご案内
日時： 2024年9月28日（土） 15:00〜17:00
ご案内: 参加登録後，ZoomのURLをメールにてお送りいたしますので，当日ご参加ください．
主旨： Si（シリコン）は，その優れた物理的性質と経済性から，半導体材料として最も広く使われています．Si素材は，バルクウェハやナノ構造材料など，多岐にわたる材料特性や各種デバイス技術の発展に寄与しており，その役割は非常に大きいです．今回の研究会では，Siウェーハの高品質化を実現するための製造プロセスの最適化や，Si量子ドットの合成とLEDへの応用についてご紹介していただきます．
題目：「プロセスインフォマティクスを用いたSiウェーハ製造の最適化」
（グローバルウェーハズ・ジャパン株式会社 技術部 基盤技術グループ，楠木 琢也）
要旨：近年，Siウェーハの品質に対する要求が高まる中，結晶成長，加工，熱処理，エピタキシャル成長等のプロセスにおいて，より良い品質を実現するためのプロセス最適化や制御が求められている．我々はこれらの課題に対し，プロセスインフォマティクス(PI)の適用を試みている．本講演では，Siウェーハ製造プロセスにPIを用いた事例として，Si単結晶成長プロセスにおける不純物濃度予測・制御について紹介する．
題目：「高発光シリコン量子ドットの合成と塗布型LEDの開発」
（広島大学 自然科学研究支援開発センター 研究開発部門・物質科学部，広島大学 大学院先進理工系科学研究科（化学プログラム），齋藤 健一）
要旨：溶液分散型のシリコン量子ドット (SiQD)は，次世代の光材料として多方面から注目されている．その理由は，1) 重金属フリーで環境に優しい，2) 高効率かつフルカラー発光の実現，3) 溶液プロセスによるデバイス製造，による．本講演では，①最大80％の発光量子収率を示したSiQDの合成とそれを用いたLED，②三原色発光するSiQDの合成とフレキシブル発光フィルム，③もみ殻を原料にしたSiQD LEDを紹介する．時間が許せば，銅シリサイドに関連するメカノケミカル合成も紹介したい．
プログラム（講演者 敬称略）
参加費：
申し込み方法：