◇第４4回シリサイド系半導体研究会のご案内

日時：　2025年3月22日（土）15：00～17：00

ご案内:　参加登録後、MS TeamsのURLをメールにてお送りいたしますので、当日ご参加ください。

主旨：シリサイド化合物はZintl相に分類される金属間化合物であり、関連する新材料も含め多岐にわたる物性の発現が期待されています。詳細な物性評価やデバイス応用を考える時、材料の薄膜化は非常に重要になります。今回の研究会は、新材料の薄膜化に焦点をあて、Zintl相化合物および関連材料のクラスレート化合物に関する最新の研究をご紹介いただきます。

題目：「ジントル相化合物を用いた薄膜熱電材料に関する研究」
（茨城大学 学術研究院　応用理工学野　坂根駿也）
要旨：室温近傍で高い熱電性能を示すことからジントル相化合物であるMg(SbBi)₂が盛んに研究されている。本講演では、分子線エピタキシー法を用いてサファイア基板等の上に成長した高品質なエピタキシャルMg(SbBi)₂薄膜の結晶性や熱電特性に関して議論し、本薄膜に関連する最近の研究に関して紹介する。

題目：「IV族系クラスレート化合物の薄膜化と物性評価」
（岐阜大学　工学部電気電子・情報工学科　大橋史隆）
要旨：IV族系クラスレートは、IV族元素からなるかご状のホストフレームワークを持ち、かごの中にはアルカリ金属などの原子を内包する化合物である。その物性は内包量の減少にともない、金属から直接遷移型の半導体に大きく変化することから、光電変換デバイスなどへの応用が期待されている。我々のグループでは、その薄膜化を世界で初めて報告するとともに、電子物性の評価に取り組んできた。当日は最近の取り組みを中心に紹介する。

プログラム（講演者 敬称略）

• 14：30—　接続チェック
• 15：00—15：05　 Opening
• 15：05—15：55　「ジントル相化合物を用いた薄膜熱電材料に関する研究」
  　（茨城大学 学術研究院　応用理工学野　坂根駿也）
• 16：00—16：50　「IV族系クラスレート化合物の薄膜化と物性評価」
  　（岐阜大学　工学部電気電子・情報工学科　大橋史隆）
• 16：50—17：00　 Closing

参加費：

• 一般：1,000円 (事前参加登録（振込）)
• シリサイド系半導体と関連物質研究会の会員および講演者：無料
• 学生：無料

申し込み方法：

• （１）下記のA-Cの情報を記載し，下記の宛先に電子メールにて申し込みください． （申し込み締切：9月27日(金)）
  A. ご氏名，B. ご所属，C. 当研究会の会員　or 非会員（一般） or 学生
  題名：シリサイド系半導体研究会の参加申し込み （"＠"を"@"に修正してください）
  宛先 （"＠"を"@"に修正してください）
  　To：kume.tetsuji.c7＠f.gifu-u.ac.jp
  　CC： ohashi.fumitaka.s5＠f.gifu-u.ac.jp
  
• （２）参加申し込みをいただきました後、研究会員の方には、こちらから電子メール返信という形で 講演用URL（Teams）をご連絡いたします。
  　研究会非会員（一般）の方には、電子メール返信という形で、参加費振込先をご連絡いたします（振込手数料はご負担ください）。 参加費の振込を確認後、講演用URL（Teams）をご連絡いたします。
• ［参加費振込締切：3月21日(金)］
• 問合せ先：久米　徹二、大橋　史隆（岐阜大学）（メールアドレスは(1)に記載）

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