◇第４5回シリサイド系半導体研究会のご案内
第45回シリサイド系半導体研究会を、下記の要領で開催します．
主催： 応用物理学会シリサイド系半導体と関連物質研究会
日時： 2025年9月21日（日曜日） 15:00～16:40
講演方法： オンライン
ご案内: 下記URLから参加登録後、オンラインのURLをメールにてお送りいたします。
https://docs.google.com/forms/d/e/1FAIpQLSexRCowoXtpu66-G7oFDxmQsoEdNobaPibP8GgExxNlQy1GDg/viewform?usp=dialog
締め切り 8月25日
主旨： 長年、Si基板上のIV族元素系薄膜を用いた発光材料・デバイスの開発研究は、精力的になされてきました。Si、Ge、Sn系の材料における光物性・デバイス研究における現状を把握することは興味深いことです。本講演では、第一線でご活躍の先生に最新のご研究をご紹介いただきます。
プログラム（講演者 敬称略）
〇14：40― 接続チェック
〇15：00―15：05 Opening
○15：05―15：45 東京都市大学 澤野憲太郎先生
「Ge/Siヘテロ構造の高品質形成と光デバイス応用」
○15：55―16：35 名古屋大学 中塚 理先生
「光電デバイス応用に向けたGeSnおよびGeSiSnヘテロエピタキシャル成長技術」
○16：35―16：40 Closing
参加費：
一般：1,000円 (振込：振込先は登録アドレスで通知))
研究会会員：無料
学生：無料
参加希望先：
中村 芳明（大阪大学） nakamura@ee.es.osaka-u.ac.jp