◇第４6回シリサイド系半導体研究会のご案内
第46回シリサイド系半導体研究会を、下記の要領で開催します．
主催： 応用物理学会シリサイド系半導体と関連物質研究会
日時： 2026年3月21日（土曜日） 15:30～17:10
講演方法： オンライン
ご案内: 下記URLから参加登録後、オンラインのURLをメールにてお送りいたします。
https://forms.office.com/Pages/ResponsePage.aspx?id=ANzX4CFG4E-Qsd97G0CzUTysMe6ZwQtBuVIA3vohmvFUM1FIVEdTRU9LTzQ0TDFFUzJYRFJUQ0RRUi4u
主旨： シリサイドを基盤とした新しいトポロジー物性の開拓が進んでいます。例えばモノシリサイド(CoSi, FeSi, NaAlSiなど)を対象とした新しい物性の探索や、デバイス性能向上に向けた研究が活発化しており、光電・熱電デバイス、スピントロニクス、量子デバイス、環境調和型材料へと展開するシリサイド科学の新たな潮流を形成しつつあります。本研究会では、本分野の第一線でご活躍の先生方をお迎えし、トポロジー物質の基礎から最新の研究動向、今後の展望をご紹介いただく予定です。
プログラム
〇15：10― 接続チェック
〇15：30―15：35 Opening
○15：35―16：15 東京大学生産技術研究所 金澤直也先生
「キラル結晶構造が生み出すトポロジカル磁気構造と電子状態」
（要旨）キラルな結晶対称性を有するB20型化合物MnSi、FeGe、CoSiでは、結晶のキラリティを反映した多彩なトポロジカル物性が発現する。本講演では、Dzyaloshinskii-Moriya相互作用に由来する磁気スキルミオンの物理を中心に解説し、CoSiにおけるトポロジカルフェルミオンなど、バンドトポロジーに関連した話題にも触れる。
○16：25―17：05 金沢大学 ナノマテリアル研究所 石井史之先生，山口直也先生
「鉄系シリサイドおよび関連物質における横熱電効果 ―第一原理計算とvan Hove特異点の役割―」
（要旨）本講演では、第一原理電子状態計算に基づき、鉄系シリサイドおよび関連物質における横熱電効果(異常ネルンスト効果)の電子論的起源を議論する。Fe2Siを代表例として、フェルミ準位近傍の電子状態と横熱電応答の関係を示し、van Hove特異点が状態密度およびベリー曲率を通じて横熱電効果を増強する機構を明らかにする。さらに、関連物質への展開を含め、縦熱電効果(ゼーベック効果)も含めた熱電材料設計指針について概説する。
○17：05―17：10 Closing
参加費：
一般：1,000円 (振込：振込先は連絡先アドレスで通知))
研究会会員：無料
学生：無料
参加申し込みをいただきました後、研究会員の方には、電子メールにて講演用URL（Zoom）をご連絡いたします。
研究会非会員（一般）の方には、電子メールにて参加費振込先をご連絡いたします（振込手数料はご負担ください）。参加費の振込を確認後、講演用URL（Zoom）をご連絡いたします。
（参加費振込締切：3月20日（金））
問い合わせ連絡先：
立岡浩一（静岡大学） tatsuoka.hirokazu@shizuoka.ac.jp