◇第47回シリサイド系半導体研究会のご案内
第47回シリサイド系半導体研究会を、下記の要領で開催します．
主催： 応用物理学会シリサイド系半導体と関連物質研究会
日時： 2026年9月19日（土曜日） 15:00～16:40
講演方法： オンライン
ご案内: 下記URLから参加登録後、オンラインのURLをメールにてお送りいたします。
https://forms.cloud.microsoft/r/f7haYSUkuQ
主旨： シリコンおよびシリサイドでは、作製プロセスを工夫することにより、従来の手法では得ることが難しい構造や組成を有する材料を創製する研究が進められています。例えば、液体Al-Si合金の急冷とAl除去を組み合わせたアモルファスSiの作製や、遷移金属内包シリコンクラスターを用いた、相図に律されないSiリッチシリサイド薄膜の形成など、新しい材料創製手法が開拓されています。本研究会では、アモルファスSiおよびSiリッチシリサイド薄膜を例に、シリコン系材料の新たな作製プロセスと、得られる材料の構造・特性、さらにその応用について最新の研究をご紹介いただきます。
プログラム
〇14：40― 接続チェック
〇15：00―15：05 Opening
○15：05―15：45 東北大学国際イノベーション・スマート研究センター 岡田 純平 先生
タイトル 液体急冷法を用いたアモルファスSiの作製
（要旨）従来、アモルファスSiは気相成長法を用いて作製されてきた。我々は最近、単ロール法を用いて液体Al-Si合金を急冷すると結晶AlとアモルファスSiを含むリボン状の試料が得られ、この試料を塩酸へ浸漬しAlを除去すると多孔質状のアモルファスSiが得られることを見出した。
○15：55―16：35 産業技術総合研究所 先端半導体研究センター 岡田 直也 先生
タイトル 遷移金属内包シリコンクラスターから構成されるSiリッチシリサイド薄膜の微細CMOS応用
（要旨）遷移金属（Ｍ）原子を内包するSiクラスターを凝集した薄膜（ＭSin膜）の研究を進めている。このＭSin膜は独自開発の堆積法により形成でき、シリサイドの相図に律されず、任意のSi組成比nに対して準安定的な単一相を合成できる。本発表では、ＭSin膜の形成手法と膜特性、並びに、ＭSin膜と半導体（SiやGe）のコンタクト特性等について紹介する。
○16：35―16：40 Closing
参加費：
一般：1,000円 (振込：振込先は連絡先アドレスで通知))
研究会会員：無料
学生：無料
参加申し込みをいただきました後、研究会員の方には、電子メールにて講演用URL（Zoom）をご連絡いたします。
研究会非会員（一般）の方には、電子メールにて参加費振込先をご連絡いたします（振込手数料はご負担ください）。参加費の振込を確認後、講演用URL（Zoom）をご連絡いたします。
（参加費振込締切：9月13日（日））
問い合わせ連絡先：
大石 佑治（大阪大学） ohishi@see.eng.osaka-u.ac.jp