日時：平成 17 年 12 月 5 日（月）、6日（火）

場所：
産業技術総合研究所　つくば本部共用講堂

主催：
産業技術総合研究所　ナノテクノロジー研究部門

共催：
分子エレクトロニクス研究会

協賛：
産業技術総合研究所　界面ナノアーキテクトニクス研究センター　
産業技術総合研究所 計算科学研究部門　
応用物理学会・有機分子バイオエレクトロニクス（ M&BE ）分科会　日本化学会　
日本表面科学会　日本物理学会（予定）
高分子学会（予定）

主旨：
　近年、分子スケールエレクトロニクス実現に向けた基礎研究が盛んに行われています。導電性分子の合成、機能性分子の走査型プローブ顕微鏡による物性測定、高密度分子メモリー、分子センサー、自己組織回路、新しいシミュレーション技法など、新しい研究成果が次々と発信されてきました。しかし、アーキテクチャーの構築、素子の信頼性向上、電極・分子界面問題など解決すべき課題が多数残されており、これらに対して真剣に取り組む必要があります。
   産総研ナノテクノロジー研究部門では、本分野における国内研究の中心とも言える分子エレクトロニクス研究会とも協力の上、独自の視点による国際シンポジウムを開催します。海外の第一線研究者を多数招聘の上、パネルディスカッション等も行い、分子スケールエレクトロニクス研究の更なる展開への指針を見いだしたいと考えております。多数の方々の参加をお待ちしています。

主な海外招待講演者：
N. J. Tao (Arizona State Univ. USA) H. Guo (McGill Univ. Canada ) J. F. Stoddart ( UCLA , USA ) Z. Bao (Stanford Univ.USA) H. Goronkin ( Technology Acceleration Associate, USA ）

参加費：
無料

定員：
150 名

発表申し込み：
発表申し込みは予稿原稿を MS-WORD もしくは PDF ファイルにて 10 月 15 日（木）までに ホームページ（ http://unit.aist.go.jp/nanotech/index.html） 経由でお送りください。

参加申し込み ：
1 氏名　 2.所属3.電話4. FAX 5. E-mail 　６．資格（一般、学生 ）について記入し、ホームページ経由 で１１月１日までにお送りください。

（なお 登録されました個人情報につきましては、本シンポジウムの開催 連絡および統計上の処理のためのみに利用いたします。 それ以 外の目的には利用致しません。）
詳細は
http://unit.aist.go.jp/nanotech/index.html

問合せ先：
石田　敬雄
産業技術総合研究所　ナノテクノロジー研究部門
自己組織エレクトロニクスグループ
Fax:+81-29-861-2786
e-mail:molectronics@m.aist.go.jp