講演題目

クラスターイオンビーム照射による光学デバイスの高精度加工

要旨

光デバイスなどの微細な構造体の高精度加工技術として、ガスクラスターイオンビーム（ＧＣＩＢ）斜め照射技術が注目されている。GCIB斜め照射技術は、従来難しかった３次元構造体の側面、例えばフォトニック結晶の誘電体ピラーの側面など、を研磨することができる。表面の突起先端を選択的に取り除き、低損傷で加工できる特徴がある。MEMS(Micro-Electro-Mechanical Systems)光スイッチの垂直ミラーの研磨に適用した結果、表面粗さ低減によりミラーの光散乱が減少し、クロストークなどのデバイス特性が向上することがわかった。