「クラスタボロンビームのSiデバイスへの適用」
浅接合を目的としてイオン注入の低エネルギー化が行われる一方で、ビームの質・量を維持することが難しくなっている。このビーム特性劣化は、注入装置の生産性低下と同時に注入分布のばらつきをも引き起こす。45nmノード以降のデバイスでは、このようなプロセスばらつきが製品歩留まりの低下につながると懸念されている。
我々は、このイオン注入での課題を克服するため高ドーズレート、重イオンの特徴を備えたクラスタドーピングを新規技術として検討している。本講演では、B18H22を用いたイオン注入、B2H6を用いたＧas Ｃluster Ｉon Ｂeamによって形成された各々のボロン注入層の特性と、これらをソースドレインExtensionに適用した場合のPMOSFETについて述べる。 |