講演題目

SiC単結晶の結晶成長技術

藤本 辰雄(新日鉄)

要旨

　高効率パワーデバイス製造用のワイドバンドギャップ半導体基板としてのSiCは、近年その単結晶成長技術の進展が著しく、口径3インチ～100mm（4インチ）の4H-SiCウェハが市場で既に主流となっていると同時に、結晶性改善あるいは転位密度低減化を目指した各種の欠陥の生成機構についても精力的な研究開発が進められている現況にある。近年では、150 mm（6インチ）ウェハへの期待も高まりつつあり、国内外で開発が盛んに進められている。本講演では、最近のウェハ開発動向を概観し、これらの基盤となる、SiCの昇華および再結晶現象を整理し、SiC単結晶成長法の成長プロセスを外観すると同時に、大口径化および欠陥低減化への展望について概説する。また、高品質大口径ウェハを実現するために重要な一製造プロセスである加工工程の技術内容について、特に硬脆材料としてのSiC単結晶の切断および研磨工程の概要についても、ごく簡単に概説する。