| 薄膜・表面物理分科会企画「省エネルギー社会のための半導体デバイス技術」 |
| 2009年9月8日 13:15〜17:15 |
8p-L- / 0 |
| 1 |
薄膜・表面物理分科会企画「省エネルギー社会のための半導体デバイス技術」（10分） |
中部大超伝導1，早大理工2
○河原敏男1，渡邉孝信2 |
| 2 |
超低消費電力シリコンデバイス技術の重要性（25分） |
東工大フロンティア
○岩井 洋 |
| 3 |
ナノスケールデバイスの熱問題: 極微細MOSFETにおける発熱の微視的過程と電気伝導への影響(25分) |
阪大院工1，早大理工2
○鎌倉良成1，図師知文2，渡邉孝信2，森 伸也1，谷口研二1 |
| 4 |
IGBTの低損失化と省エネルギー（25分） |
日立日立研
○森 睦宏 |
| 5 |
SiCデバイスとエピタキシー技術（25分） |
(独) 産総研
○児島一聡 |
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休 憩 15:05〜15:25 |
| 6 |
温度無依存バンドギャップ半導体TlInGaAsNの成長と半導体レーザへの応用(25分) |
阪大産研
○長谷川繁彦，朝日 一 |
| 7 |
電子デバイス冷却と熱電効果ー自己冷却素子を中心にして(25分) |
中部大超伝導1，横浜国大工2，防衛大工3
○山口作太郎1，中津川博2，岡本庸一3 |
| 8 |
アモルファス・微結晶シリコン太陽電池（25分） |
産総研
○増田 淳 |
| 9 |
化合物半導体太陽電池（25分） |
豊田工大
○山口真史 |
| 10 |
クロージングトーク(10分) |
早大理工
○渡邉孝信 |
薄膜･表面物理分科会企画
「金属酸化物系材料の新展開-メカニズムの解明からデバイス応用まで-」 |
| 2009年9月10日 13:45〜18:15 |
10p-G- / 0 |
| 1 |
金属酸化物系材料の新展開（15分） |
物材機構
○青野正和 |
| 2 |
イオン移動を利用した不定比性キャリア変調とスイッチング現象（30分） |
東大工
○山口 周，土屋敬志，三好正悟，佐々木直敬，尾山由紀子 |
| 3 |
界面制御による酸化物量子物性の発現（30分） |
東北大WPI材料機構1，東北大金研2，CREST-JST3
○川崎雅司1, 2, 3 |
| 4 |
鉄系新超伝導体の進展（30分） |
東工大フロンティア研1，応セラ研2
○細野秀雄1,2 |
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休 憩 15:30〜15:45
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| 5 |
酸化物中における電子・イオンの微視的挙動：第一原理計算によるアプローチ（30分） |
東大工
○渡邉 聡，谷 廷坤，笠松秀輔，多田朋史 |
| 6 |
酸化還元型 電気化学抵抗変化メモリ素子ReRAM 〜もう 原理は”不明”ではない！〜（30分） |
産総研ナノ電子デバイス
○秋永広幸，島 久 |
| 7 |
電気化学抵抗変化素子（イオン注入型）（25分） |
物材機構
○長谷川剛，寺部一弥，鶴岡 徹，南風盛将光，知京豊裕，青野正和 |
| 8 |
光機能センサー素子への応用（25分） |
阪大理1，物材機構MANA2
○田中啓文1，日野貴美1，長谷川剛2，伊藤弥生美2，青野正和2，小川琢治1 |
| 9 |
原子スイッチのCu配線中への形成（30分） |
ＮＥＣ1，ＮＩＭＳ2
○阪本利司1，多田宗弘1，伴野直樹1，辻 幸秀1，斉藤幸重1，矢部裕子1，波田博光1，井口憲幸1，青野正和2 |
| 10 |
Closing ：金属酸化物系材料の新展開（10分） |
物材研
○知京豊裕 |
