半導体素子の高性能化に伴って、集積回路を構成するMOSFETの微細化が加速している。現在、MOSFETの心臓部であるゲート絶縁膜の厚さは1nmに迫っている。このため、ゲート絶縁膜自体の質の高さと同様に、シリコン基板との界面やゲート電極との界面を制御することが非常に重要になっている。最近では、現在実用化されているシリコン酸化膜やシリコン酸窒化膜に代わる、高誘電率のゲート絶縁膜の開発が活発であるが、その場合にも高品質膜形成に加えて、シリコン基板やゲート電極材料との界面反応の抑制を含めた界面の制御が重要であることに変わりはない。特にゲート絶縁膜と半導体基板の界面は、そのすぐ基板側にキャリアの通路（チャネル）があるので極めて重要である。また最近、シリコンを歪ませることによりキャリアの移動度が上昇することから、界面領域の歪みの測定と制御が重要な課題となっている。 　本講演では、イオン散乱分光法を用いた界面歪みの分析について、その原理と応用例を紹介する。イオン散乱分光法は界面の組成分析に広く利用されているが、界面歪の分析にも利用できることを説明した後、イオン散乱分光法のうちで特に深さ分解能に優れている高分解能ラザフォード後方散乱法を用いて、SiO2/Si(001)やHfO2/Si(001)の界面歪みの深さ方向分析を行った例を紹介する。