昨年9月にSamsungより32GbitのNANDフラッシュメモリの試作成功のアナウンスがあり、一昔前までは夢物語であった、100Gbit級や更にはTbit級のメモリの実現が手に届くところに来ているということが実感されるようになった。実際Samsungは2010年には256Gbitのフラッシュメモリの実現を行なうとのアナウンスを行なっている。市場にメモリへの大容量化、高速化、低消費電力化、低コスト化の要求は毎年留まることなく増大しているが、これを満たすために新材料・新構造・新原理のナノスケールメモリーの研究開発が、この数年来大変に活発になって来ており、メモリの開発の新時代を迎えようとしている。本講演では、各種新材料・新構造・新原理のナノスケールメモリー技術に関してその重要性と将来展望を考察する。