2004年（平成16年）春季　第51回応用物理学関係連合講演会

薄膜・表面物理分科会企画
「High-ｋゲート絶縁膜　ー現状と課題ー」

日時：平成１６年３月２８日
　　　　１３：００ー１７：３０
場所：東京工科大学

主 旨

プログラム（敬称略）

1. イントロダクトリートーク 東大院工　鳥海　明

2. インテグレーションの課題
NECシリコンシステム研究所
岩本敏幸、小倉　卓、寺井真之、渡辺啓仁、渡部平司、五十嵐信行、宮村　真、辰巳　徹、西藤哲史、森岡あゆ香、渡部宏治、斎藤幸重、矢部裕子、五十嵐多恵子、増崎幸治、望月康則、最上　徹

3. 高誘電率絶縁膜／Si界面の基礎物性
広島大院先端研　宮崎誠一

4. High-ｋ絶縁膜HｆO２中の欠陥の原子構造と電子構造　ー第一原理計算による検討ー
筑波大物理1、物材機構2、早大ナノテク研3、SELETE4
白石賢二1，2、山田啓作3，2、斎藤峯雄2、大野隆央2、川原孝昭4、鳥居和功4、三橋理一郎4、武藤彰良4、堀内　淳4、伊藤浩之4、北島　洋4、有門経敏4

5. HfO2系材料の不均質な結晶化　ー古典的分子動力学シミュレーションー　
富士通研究所
小坂裕子、山崎隆浩、金田千穂子

6. High-ｋ材料と界面反応　ー熱的安定はどこまで維持できるのかー　
東芝LSI基盤技術ラボ　村岡浩一

7. バッチ式CVD装置を用いたHfSi0NH成膜技術　
半導体先端テクノロジーズ
青山知憲、鳥居和功、神山　聡、田村泰之、三橋理一郎、前田　毅、北島　洋、有門経敏

8. LL-D＆A法を用いたHfAlOｘ(N)ゲートスタック技術　
半導体MIRAI-ASET1、半導体MIRAI-産総研ASRC2、東大工3
大野守史1、堀川　剛2、生田目俊秀1、鳥海　明2，3

9. 希土類系ゲート絶縁膜　
東工大フロンティア研　岩井　洋