招待講演

・清水 英路（経済産業省 商務情報政策局 情報産業課デバイス・半導体戦略室 室長）
 「半導体・デジタル産業戦略」

・橋詰 　保（名古屋大学）
 「GaNパワートランジスタにおける表面・界面制御」

・福島 正人（株式会社 レゾナック・ホールディングス）
 「レゾナックにおけるカーボンニュートラルへの取組みと実例紹介」

・伊東 淳一（長岡技術科学大学）
 「電力変換器の将来：USPMによるパワエレのIC化」

・金村 高司（株式会社 ミライズテクノロジーズ）
  「車載適用を見据えた高温ガス成長法によるSiC結晶成長とカーボンニュートラル」

・金 　聖祐（Orbray 株式会社）
 「大口径ヘテロエピタキシャルダイヤモンド基板作製と応用」

・小林 元樹（株式会社 サイコックス）
 「貼り合わせ基板SiCkrestの開発」

・田中 敦之（名古屋大学）
 「GaN基板・デバイスのレーザスライス」

・紀 　世陽（産業技術総合研究所）
 「SiC SJデバイス実現に向けたCVD法による4H-SiC埋戻し成長技術の開発と進展」

・堂島 大地（関西学院大学）
 「大口径4H-SiC（0001）ウエハの欠陥の評価およびその可視化手法」

・日野 史郎（三菱電機 株式会社）
 「SBD内蔵SiC-MOSFETの開発」

・平井 悠久（産業技術総合研究所）
 「SiCトレンチMOSチャネルの直接評価術ーー3D-VDP素子」

・藤岡 　洋（東京大学）
 「パルススパッタリングによるGaNおよびAlGaN電子素子の作製」

・増永 昌弘（株式会社 日立製作所）
 「過酷環境向けSiC-CMOS技術の信頼性とその応用」

・山本 真義（名古屋大学）
 「次世代EVに求められる低損失SiCパワー半導体設計指針とその実装技術」