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結晶工学分科会研究会

公益社団法人応用物理学会 結晶工学分科会主催
第149回結晶工学分科会研究会

GaN on GaNパワーデバイスにむけて
~p型GaNの結晶工学


◇ 日時:2018年6月15日(金)13:00~17:55
◇ 場所:名古屋大学東山キャンパスES総合館ES会議室  →アクセス

   (〒464-8603 愛知県名古屋市千種区不老町 名古屋市営地下鉄名城線「名古屋大学」駅下車徒歩3分)


 MgドープGaNの電子線照射により世界ではじめてp型GaNが実現され,その後水素がMgを不活性化させていたことが明らかになり,GaN発光ダイオードに道が開かれました。GaN電子デバイスの新展開,特に縦型パワーデバイスを実現するにはp型のさらなる制御,イオン注入によるp型GaNの実現が不可欠です。今回の研究会ではp型GaN中の結晶欠陥,Mgイオン注入p型GaNを用いたデバイス,p型GaN上のMOS特性などをテーマに取り上げ,結晶成長,デバイスプロセス,物性評価,欠陥制御など多面的に議論を行います。


***プログラム***

13:00~13:10 結晶工学分科会幹事長 挨拶  
13:10~13:55 p-GaN中の点欠陥のDLTSによる評価 徳田 豊(愛知工業大学)
13:55~14:40 陽電子消滅法によるp-GaNエピ層,イオン注入層の点欠陥評価 上殿 明良 (筑波大学)
14:40~15:25 Mg添加GaNエピ層及びイオン注入層のフォトルミネッセンス評価 秩父 重英(東北大学,名古屋大学,北海道大学)
15:25~15:40 休 憩
15:40~16:25 Mgイオン注入GaN層上におけるノーマリーオフMOSFET検討 高島 信也 (富士電機)
16:25~17:10 p-GaNに形成した金属/MOS接合の特性評価 橋詰 保 (北海道大学)
17:10~17:55 p-GaN中の結晶欠陥の複合的な評価 小出 康夫 (物質・材料研究機構)

  
参加受付: 事前申し込みは下の「参加申込」ボタンから
 受付の混乱を避けるため登録のプリントをお持ち下さい.
   
参加費: 当日会場にてお支払いください.(テキスト代・消費税込)
結晶工学
分科会会員*,**
結晶工学
分科会学生会員**

応用物理学会会員
(分科会員でない場合)

一 般  一般学生
3,000円 1,000円 7,000円

10,000円

2,000円
  *分科会賛助会社の方は分科会会員扱い(3,000円)とします. 
  **当日ご入会の方も分科会会員扱いとします.

上記講演会の問合せ先:
栗原 香 (三菱ケミカル) E-mail: kurihara.kaori.mp@m-chemical.co.jp
須田 淳 (名古屋大学) E-mail: suda.jun@e.mbox.nagoya-u.ac.jp
大島 祐一 (物質・材料研究機構) E-mail: OSHIMA.Yuichi@nims.go.jp
五十嵐 周(応用物理学会 事務局) TEL: 03-3828-7723(分科会直通) E-mail:divisions@jsap.or.jp

 

© 2018 応用物理学会結晶工学分科会