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結晶工学セミナー

公益社団法人 応用物理学会 結晶工学分科会主催
第23回結晶工学セミナー

ワイドギャップ半導体結晶の評価技術
- 最先端評価技術で明らかになる欠陥の挙動 -


日時:2018年12月21日(金)10:00~17:00
場所:産総研臨海副都心センター別館   →アクセス
     東京都江東区青海2-3-26(ゆりかもめ「テレコムセンター駅」下車 徒歩約4分)



現在社会の省エネルギー化が強く求められる中、パワー半導体に応用されるシリコンカーバイトや窒化ガリウム、酸化ガリウムといったワイドギャップ半導体結晶が注目されています。しかしながら、完全結晶と言われるシリコンに比べて不純物や転位といった欠陥がまだまだ多く、高品質化が課題となっております。その中で、どのような欠陥がどのように導入され、どのような状態で存在するかを分析する技術は極めて重要です。そこで本セミナーでは、最新の結晶評価技術を各分野で第一線の研究者の方や装置メーカーの方々に測定原理も踏まえてご紹介いただきます。

企画担当幹事:今西 正幸、熊谷 義直、船戸 充



< プログラム >

10:00~10:10 挨拶 結晶工学分科会幹事長 大島 祐一 (NIMS)
10:10~10:15 イントロダクトリートーク 今西 正幸 (大阪大学)
10:15~11:00 顕微ラマンによる転位の分類 小久保 信彦 (名古屋大学、 産総研(現・日立))
 山田 永  (産総研)
11:00~11:45 二光子顕微鏡を用いた2PPL法によるGaN結晶の貫通転位観察手法 鶴旨 篤司  (ニコンインステック)
11:45~13:00 昼休憩
13:00~13:45 多波回折明視野X線トポグラフィによるGaN結晶中転位の分類 松井 純爾  (兵庫県立大学)
13:45~14:30 FT-IRによるGaNエピ膜の非破壊評価 堀切 文正  (サイオクス)
14:30~14:45 休憩
14:45~15:30 走査型非線形誘電率顕微鏡    長 康雄  (東北大学)
15:30~16:15 レーザーアトムプローブの開発とその応用 大久保 忠勝 (NIMS)
16:15~17:00 走査型プローブ顕微鏡による半導体点欠陥の観察 鷺坂 恵介  (NIMS)


  
参加受付:事前申し込みは下の「参加申込」ボタンから
(空席があれば当日受付も行います.)
 
   
参加費: 当日会場にてお支払いください.(テキスト代・消費税込)
結晶工学
分科会会員*,**
結晶工学
分科会学生会員**

応用物理学会会員
(分科会員でない場合)

一 般  一般学生
6,000円 2,000円 14,000円

20,000円

4,000円
   *2018年結晶工学スクール参加者は、いずれも50%割引となります
    **分科会賛助会社の方は分科会会員扱いとします. また、当日ご入会の方も分科会会員扱いとします.

問合せ先 
五十嵐 周(応用物理学会事務局)TEL: 03-3828-7723, FAX: 03-3823-1810, E-mail: divisions@jsap.or.jp
今西 正幸 (大阪大学) TEL: 06-6879-7705, E-mail: imanishi@eei.eng.osaka-u.ac.jp
船戸 充 (京都大学) TEL: 075-383-2309, E-mail: funato@kuee.kyoto-u.ac.jp
反保 衆志 (産業技術総合研究所) TEL: 029-861-9148, E-mail: tampo-21@aist.go.jp

 

© 2018 応用物理学会結晶工学分科会