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大分類 |
中分類分科名 |
| 1. 応用物理学一般 | 1.1
応用物理一般・学術領域（学際領域，力学，光および色，熱，音響，液体・流体，静電気・電磁波，トライボロジーなど） 1.2 教育（システム，教材開発・物理実験，情報教育） 1.3 新技術・複合新領域（複合新領域，新材料，デバイス・プロセス技術，センサ・センシング技術，観測法，分析・評価，バイオ技術，化学応用，計算物理・回路技術, 衝撃・衝突とその利用，重力現象など） 1.4 エネルギー変換・貯蔵・資源・環境（エネルギー変換, エネルギー貯蔵, 太陽光発電, 水素貯蔵, 燃料電池, 蓄電池・コンデンサ, ソーラーカー, 省エネルギー技術, 原子力応用, 資源, 環境, 材料・阻止・装置・制御, モニタリング・センシング・シュミレーション・ＬＣＡ・システム, エネルギー, リデュース・リユース・リサイクル, 調査） 1.5 計測技術・計測標準（時間周波数計測・制御、時空計測、寸法・距離・変位・形状・角度、質量・力・トルク・重力加速度・圧力・流量、電気・電磁波・電磁界、光放射・光物性、温度・湿度・熱・熱物性、ナノ計測・粒子計測、基盤計測技術一般・極限計測技術・センサ基板技術・計測システム、制御技術・制御理論、基礎物理定数・単位系・不確かさ・応用統計、標準物質・物性値データベース、時間・周波数・波長・時刻、幾何学量・長さ・角度・表面形状・微小寸法、力学量・質量・力・圧力・加速度・音響・流量、熱力学量・温度・湿度・密度・粘度・熱物性量・ＰＶＴ、電磁気量・電流・電圧・抵抗・電気容量・インダクタンス、電磁波・高周波・光放射・レーザーパワー・放射線、インフラ計測・診断・現場計測・精算計測技術） 1.6 超音波（超音波物性、測定技術、フォノン、光音響、非破壊検査、圧電デバイス、非線形音響、強力超音波、ソノケミストリー、熱音響、医用超音波、海洋音響） |
| 2. 放射線 | 2.1
放射線物理一般・検出器基礎（放射線物理, 検出原理・基礎, 検出器母材開発, シンチレータ, 化合物半導体） 2.2 検出器開発（検出器開発, 計測・信号処理技術, 計測・測定回路, シミュレーション技術） 2.3 放射線応用・発生装置・新技術（放射線発生装置, 産業利用, 医学生物学利用, 放射線防護・保健物理, 宇宙線, 画像処理, 線量評価, 環境放射能・放射線, 微量元素分離・分析, 放射線標準, その他放射線応用一般） |
| 3. 光・フォトニクス | 3.1
光学基礎・光学新領域（光の散乱・吸収・回析・偏光・コヒーレンス，光と物質の相互作用・電子と光子の相互作用，電磁場解析，光渦・偏光ビーム，レーザートラップ・レーザーマニピュレーション，微小領域の光学，共振器，新技術） 3.2 材料・機器光学（反射・屈折率・複屈折・構造・吸収の変化・その利用，光導波・回折光学素子・関連材料，非線形光学材料・有機材料・それらの素子・応用，ナノ材料・その他の材料・その応，光学機器・その設計，光学加工と評価，光メモリー・関連材料・機器，ディスプレイ・照明・関連材料・機器） 3.3 情報フォトニクス・画像工学（光情報処理，ディジタルオプティクス，コンピュテーショナルイメージング，画像処理，光コンピューティング，光メモリーシステム，ディスプレイシステム・照明システム，光通信システム） 3.4 生体・医用光学（生体計測・生体分析，生体光物性，生体光イメージング（OCT，光トポグラフィなど），ピコ秒・フェムト秒生体計測，蛍光・ラマン顕微鏡，光治療・診断，視覚情報処理・視機能，生体光音響分光・イメージング） 3.5 レーザー装置・材料（半導体レーザー励起・固体レーザー，ファイバーレーザー・有機色素レーザー，気体レーザー・自由電子レーザー，新レーザー材料・新波長変換素子，レーザー励起技術・ビーム制御技術・共振器設計技術・周波数制御技術，熱解析・熱補償技術，非線型光学材料・光学薄膜・光物性・周期的分極反転，波長変換・疑似位相整合・紫外光・波長可変レーザー，位相共役・四光波混合・位相共役鏡，モードロックレーザー） 3.6 超高速・高強度レーザー（超短パルス発生・パルス圧縮・超短パルス計測，超短パルスレーザー技術・周波数コム・非線形光学，高強度レーザーシステム・パラメトリック増幅，高強度場現象・高エネルギー密度科学，超高速現象） 3.7 レーザープロセシング（加工基礎・モニタリング・ダイナミクス，薄膜形成・微粒子生成，表面改質，微細加工，マクロ加工，フェムト秒プロセス，生物・医用応用，レーザー励起現象） 3.8 光計測技術・機器（干渉計測・偏光計測，原子・分子分光・精密分光・分光光源・レーザー分光応用・コム分光，スペックル・散乱，フェムト秒計測，ナノ計測，屈折率・膜厚計測・距離・変位計測・速度計測・粒径計測，光センサー・光計測システム，ライダー・環境計測） 3.9 テラヘルツ全般（テラヘルツ発生・検出・非線形光学・光導電スイッチ・MQW・光混合，テラヘルツ光学素子・導波路・メタマテリアル・フォトニック結晶，テラヘルツシステム・分光，イメージング・センシング，テラヘルツ応用・キャリアダイナミクス・バイオ・セキュリティ・通信） 3.10 光量子物理・技術（コヒーレント効果・現象，量子相関，量子状態生成・制御・スクイーズド状態，量子情報・量子計算，量子通信・量子暗号，原子光学，レーザー冷却，レーザーカオス，カオス同期，暗号通信，戻り光半導体レーザー） 3.11 フォトニック構造・現象（フォトニック結晶理論・電磁界解析理論・新構造，多次元構造作製プロセス・材料，フォトニック結晶レーザー，極微レーザー・発光素子，フォトニック結晶導波路・極微導波路・極微光回路，フォトニック結晶機能素子・極微光制御素子，輻射場制御・光非線形制御・新現象，金属フォトニック結晶・メタマテリアル・プラズモン・ポラリトン） 3.12 ナノ領域光工学・近接場工学（フォトニクス，ナノ光電子デバイス，ナノメートル光加工，プラズモニクス・メタマテリアル，ラマン増強，電磁場相互作用，非線形光学，走査型プローブ顕微鏡，量子ドット，アトムフォトニクス，ドレスト光子） 3.13 半導体光デバイス（半導体レーザー・発光ダイオード，半導体光アンプ・光変調器・光スイッチ・光機能デバイス・非線形デバイス，フォトダイオード・光伝導素子・フォトトランジスター・イメージング・センシング，光送信器／受信器・集積化・モジュール・サブシステム・光通信，太陽電池，高感度光検出・雑音特性，半導体光物性・現象，設計／評価・材料／プロセス・信頼性，新規材料・デバイス・応用） 3.14 光制御デバイス・光ファイバー（波長変換デバイス・擬似位相整合・擬似速度整合・周期分極反転，光変調器・光スイッチ・その他のデバイス（強誘電体），光変調器・光スイッチ・その他のデバイス（磁性体，無機ガラス，有機ポリマー，液晶，MEMS，その他），光導波路・パッシブデバイス・光集積回路／デバイス／モジュール／システム・光配線・光通信，光ファイバー（構造，特性，材料，プロセス，評価），光ファイバー型デバイス・センサー） 3.15 シリコンフォトニクス（新規材料・プロセス・評価，光導波路・パッシブデバイス・ファイバーカプラー，光変調器・光スイッチ・非線形デバイス，シリコン上発光デバイス・IV族発光，光検出デバイス，光機能デバイス・光集積回路・光電子融合，光回路・システム設計，光信号処理・光インターコネクション・光通信・その他の応用） |
| 6. 薄膜・表面 | 6.1
強誘電体薄膜（強誘電体・高誘電率薄膜，マルチフェロイック薄膜，電極材料など，強誘電・圧電デバイス，エナジーハーベスティング，プロセス・評価技術） 6.2 カーボン系薄膜（ダイヤモンド薄膜，微結晶ダイヤモンド，非晶質カーボン薄膜，B-C-N系薄膜） 6.3 酸化物エレクトロニクス（エレクトロニクス機能探索，強相関電子系，抵抗変化メモリ，ワイドギャップ系・透明材料，太陽電池・光触媒，イオン伝導・二次電池，界面・ヘテロ構造） 6.4 薄膜新材料（誘電性薄膜，半導性・導電性薄膜，金属薄膜など，新材料・新技術・評価手法など） 6.5 表面物理・真空（表面，界面，真空，摩擦，表面ナノ構造，計測法，理論） 6.6 プローブ顕微鏡（走査型プローブ顕微鏡，ナノサイエンス，ナノテクノロジー，ナノプロープ，表面・界面評価，原子・分子操作など） |
| 7. ビーム応用 | 7.1
X線技術（X線源，X線光学素子，X線結像光学系，X線検出器，X線顕微法，X線利用技術，X線計測技術，EUV光源） 7.2 電子ビーム応用（電子顕微鏡による構造解析・分析，電子顕微鏡装置・手法の開発，電顕試料作製法・関連要素技術，シミュレーション解析・画像処理法，電子源・材料，電子ビームデバイス，電子ビーム理論・物理・シミュレーション，電子ビーム計測･診断，電子ビーム応用・関連技術） 7.3 微細パターン・微細構造形成技術（光リソ，EUV・X線リソ，電子・イオンビームリソ，熱ナノインプリント，光ナノインプリント，ソフトリソグラフィ＆ディップペン，ナノインプリントツール，DSAリソ，レジスト，モールド・マスク，3D・非プレーナ，アプリケーション，新技術） 7.4 量子ビーム界面構造計測（薄膜・多層膜の埋もれた界面の機能特性と構造，埋もれた超薄膜・ナノ物質の化学組成と構造，埋もれた界面の可視化・イメージング，埋もれた界面の微小領域構造計測・顕微分光，埋もれた界面の超高速計測・リアルタイム計測，固液界面および液液界面の構造とダイナミクス，X線・中性子反射率法および関連技術の高度化，X線自由電子レーザー等の新光源の界面構造計測への応用） 7.5 イオンビーム一般（イオン源，イオンビーム応用装置，イオン・固体相互作用，イオン注入，イオンビーム蒸着，イオンビーム加工，イオンビーム分析，イオン源・イオンビームの理論・物理） 7.6 原子・分子線およびビーム関連新技術（原子・分子ビーム応用，電子ビーム応用，イオンビーム応用，各種レーザー応用，放射光応用，ビーム励起表面反応，ビーム発生装置，ビーム応用新技術 その他） |
| 8. プラズマエレクトロニクス | 8.1
プラズマ生成・制御（マイクロ波プラズマの生成・制御，RF プラズマの生成・制御，大気圧非熱平衡プラズマの生成・制御，熱プラズマの生成・制御，気液界面・液中プラズマの生成・制御，反応性プラズマの生成・制御，プラズマ生成・制御の数値計算・シミュレーション，その他のプラズマの生成・制御） 8.2 プラズマ診断・計測（プラズマ計測技術(光学的計測、粒子計測)，固相・液相表面計測技術，プラズマ・表面反応と計測技術，プロセスモニタリング技術，その他の診断・計測技術） 8.3 プラズマ成膜・表面処理（CVD,PVD・スパッタリング，表面処理・表面改質・表面修飾，有機プロセス，成膜・表面処理装置および制御技術，プロセスクリーン化，微粒子合成，アーク・プラズマジェット応用） 8.4 プラズマエッチング（Si・金属のエッチング，絶縁膜のエッチング，ダメージ・プロセスインテグレーション，新材料・新構造のエッチング，モデリングおよびシミュレーション，エッチング装置および制御技術） 8.5 プラズマナノテクノロジー（ナノチューブ・ナノウォール・ナノホーン・グラフェン，フラレーン及びナノ粒子，プラズマナノ加工，自己組織化・自己整合膜，構造制御・新構造，材料合成，ナノ構造による新機能，デバイス応用） 8.6 プラズマライフサイエンス（プラズマバイオ応用，プラズマ医療応用，プラズマ農業応用） 8.7 プラズマ現象・新応用・融合分野（原子分子・放電過程，光源及びディスプレイ，レーザプラズマ，プラズマフォトニクス，環境・エネルギー応用，液体・液中プラズマ応用，新しいプラズマ応用） |
| 9. 応用物性 | 9.1
誘電材料・誘電体（誘電性・圧電性・強誘電性，強誘電・圧電・光学デバイス，分極現象，セラミックス作製・単結晶育成，強誘電性高分子・液晶，基礎・測定法） 9.2 ナノワイヤ・ナノ粒子（ナノワイヤ，ナノ粒子，粉体・微粒子（帯電・放電・イオン），ナノワイヤ・ナノ粒子複合／有機・無機複合構造，形成メカニズム，ナノ物性評価，計測技術，ナノバイオ応用・エナジーハーベスト技術・新機能・多機能デバイス化技術，安全性評価） 9.3 ナノエレクトロニクス（量子・ナノデバイス，ナノ材料とプロセス，ナノ物性と機能，新概念デバイスとアーキテクチャ，量子情報） 9.4 熱電変換（酸化物 / 硫化物，窒化物 / ホウ化物，シリサイド，無機半導体，有機材料 / 有機・無機複合材料，ナノ構造 / マイクロ構造，システム・モジュール，計測技術，その他） 9.5 新機能材料・新物性（新機能材料・新物性の探索，新機能性材料・新物性の評価方法，発光材料・記録材料・磁気歪材料・センサー応用，環境半導体・吸蔵合金・発熱放熱材料，交差相関現象） |
| 10. スピントロニクス・マグネティクス | 10.1
新物質創成（酸化物・ホイスラー・金属磁性体等）（スピン機能性酸化物とそのヘテロ結合, ホイスラー磁性体とそのヘテロ結合, 新規磁性体材料とそのヘテロ結合, 磁性体ナノ構造(微粒子含む)とその作製方法・シミュレーション） 10.2 スピントルク・スピン流・回路・測定技術（MRAM(回路・素子技術含む)，スピン依存輸送現象・デバイス(回路・素子設計も含む), スピン計測・磁気計測, スピン・磁気デバイスプロセス技術, スピン伝導に関する新規現象） 10.3 GMR・TMR・磁気記録技術（TMR・GMR材料・素子技術，HDD等磁気記録技術，磁気センサー，高周波デバイス, その他スピン・磁気デバイス(回路・素子設計含む)） 10.4 半導体・有機・光・量子スピントロニクス（III-V 族磁性体材料とそのヘテロ接合，IV 族磁性体材料とそのヘテロ接合，II-VI 族磁性半導体およびそのヘテロ接合，スピン機能性有機物材料とそのヘテロ接合，スピン依存光現象・デバイス(回路・素子設計含む)，核スピン計測・制御，スピン量子通信・量子コンピューター，スピンに関する新規現象） 10.5 磁場応用（強磁場効果，磁気エネルギー，磁場配向，磁気科学，磁場中計測，強磁場） |
| 11. 超伝導 | 11.1
基礎物性（基礎研究・新現象・物理・化学・基礎理論，結晶育成・置換効果・インターカレーション，ジョセフソン効果・固有接合，磁束状態・高周波応答，新超伝導材料・新評価技術・その他，Bi系Tl系超伝導体，123系超伝導体，214系超伝導体，その他の酸化物超伝導体，金属系超伝導体，有機超伝導体など非酸化物系） 11.2 薄膜, 厚膜, テープ作製プロセスおよび結晶成長（YBCO，REBCO系薄膜，Bi系・Tl系・Hg系薄膜，テープ状線材プロセス・長尺化およびそれらの高性能化，薄膜作製プロセス・大面積化およびそれらの高性能化，低温系薄膜，膜結晶成長，その他） 11.3 臨界電流, 超伝導パワー応用（臨界電流・ピンニング・E-J特性，電磁現象，膜特性評価，線材特性評価，バルク特性評価，超伝導パワー応用，評価方法，その他） 11.4 アナログ応用および関連技術（SQUIDおよびその応用（素子構造，素子特性，アンプなど），マイクロ波素子とその応用（マイクロ波受動素子，フィルター，アンテナ，チューナブル・フィルター，能動素子など），ミクサ・発信器・検出器（ヘテロダイン検出器，発信器，ボロメーター，STJ検出器，転移端センサーなど），その他のアナログデバイス，先端計測応用および関連技術（SQUID計測，電圧標準，冷却装置，磁気シールド技術など）） 11.5 接合, 回路作製プロセスおよびデジタル応用（ジョセフソン接合作製技術（低温超伝導，高温超伝導，その他NbN，MgB2など），回路作製プロセス（低温超伝導，高温超伝導，その他NbN，MgB2など，回路設計技術（回路シミュレーション，最適設計，統合設計技術），小中規模集積回路応用（超伝導AD変換器など），大規模集積回路応用（超伝導サーバー，超伝導ルーターなど），その他） |
| 12. 有機分子・バイオエレクトロニクス | 12.1
作製・構造制御（ドライプロセス（真空蒸着，CVD），ウェットプロセス（スピンコート，ディッピング，スプレー，インクジェット，LB，自己組織化，SAM），エピタキシャル成長，電気化学的結晶成長，分子配列・配向制御，液晶（相転移，秩序構造，高分子ネットワーク構造），液晶配向制御（配向材料，光配向，アンカーリング），微粒子，有機無機ハイブリッド，有機ナノ結晶・ナノ構造体，ナノポア・ナノシート，その他作製技術） 12.2 評価・基礎物性（走査型プローブ顕微鏡（STM，AFM，KPFM, SNOMなど，分光学的評価（光電子分光，レーザー分光，振動分光，ESR，EELS，熱刺激電流など），構造解析（X線回折，電子線回折など），表面プラズモン共鳴・分光，キャリア輸送現象，熱輸送現象，単一分子エレクトロニクス・フォトニクス，基礎物性理論・シミュレーション，その他物性評価） 12.3 機能材料・萌芽的デバイス（電子・光機能材料（分子設計，合成，評価），液晶材料，有機半導体，導電性高分子，自己組織化材料，ソフトマテリアル（高分子，ゲル，コロイドなど），材料光機能（非線形光学，光構造変化・光異性化，発光，レーザー発振など），エキシトン・プラズモンエンジニアリング，電子機能デバイス（光電変換，熱電変換，センサー，メモリーなど），光機能デバイス（発光デバイス，導波路，微小共振器など），液晶デバイス（ディスプレイ，フォトニクス，生体応用など），高分子機能デバイス，高分子エレクトロニクス） 12.4 有機EL・トランジスタ（デバイス関連基礎物性（動作機構, 電荷輸送, 注入機構，界面，表面，配向制御）, 劣化機構, 高効率有機EL素子・材料, 低分子系有機EL素子・材料, 高分子系有機EL素子・材料, EL作製技術OLED, 光取り出し, 有機EL応用（ディスプレイ，照明など, トランジスタ材料（合成，評価，物性）, トランジスタ作製技術（電極，絶縁膜，表面処理）, トランジスタ応用（ディスプレイ，センサー，メモリー，集積回路）, 新デバイス（発光トランジスタ，有機半導体レーザーなど）） 12.5 有機太陽電池（有機薄膜太陽電池，色素増感太陽電池，ペロブスカイト太陽電池，有機無機ハイブリッド太陽電池・ナノ構造太陽電池・量子ドット太陽電池・新概念太陽電池，太陽電池の基礎物性（素過程，デバイス物理，電荷輸送，光・電子物性など），有機半導体材料開発（高分子，低分子，色素など）・電極・バッファ材料開発・封止材料開発，太陽光発電システム・信頼性およびその試験技術・フィールドテスト技術，太陽電池モジュール・大面積化技術・R2R製造技術，太陽光蓄電システムなど複合機能） 12.6 ナノバイオテクノロジー（ナノ材料およびナノ構造を利用したバイオセンサー・バイオチップ（DNA チップ，タンパク質チップ，細胞チップ），一分子・一細胞の計測・操作（力学，光学）・高感度バイオセンシング・分光法・バイオイメージング，ナノバイオプロセス・生体分子・バイオインスパイアード材料の配列制御・自己組織化，バイオインターフェイス構築技術（表面処理・修飾・パターニング・微細加工），ナノバイオエレクトロニクス・ナノバイオフォトニクス・ナノバイオグリーンテクノロジー，その他のバイオ・ナノ融合技術） 12.7 医用工学・バイオチップ（細胞・生物・生体の機能・物性・物理・再生医療, 医用工学・医療ロボット・光応用デバイス・バイオセンサー・化学センサー, 遺伝子・タンパク質・超分子工学, スマートバイオチップ・バイオエレクトロニクス, bio-MEMS・μ-TAS, バイオマテリアル・バイオマス・バイオミメティック, 生体イメージング） |
| 13. 半導体 | 13.1
Si系基礎物性・表面界面・シミュレーション（材料物性，新機能，新評価法，ナノ構造，界面，薄膜，理論，清浄化，反応・成長初期過程，表面解析技術，吸着・解離過程，表面微細構造，ウェットエッチング，プロセスシミュレーション，デバイスシミュレーション，回路シミュレーション，熱輸送シミュレーション，その他） 13.2 探索的材料物性・基礎物性（シリサイド半導体・環境半導体，その他の新材料・新物性探索・マテリアルデザイン，不純物・欠陥・深い準位，キャリア輸送，評価手法・新原理） 13.3 絶縁膜技術（ゲート絶縁膜，シリコン酸化膜／シリコン酸窒化膜／シリコン窒化膜，high-k膜，Ge／SiGe／ひずみチャネル，III／V族半導体，成膜手法／評価手法，電気特性／信頼性，理論／シミュレーション，パッシベーション膜，メモリデバイス用絶縁膜（浮遊ゲート型、チャージトラップ型、抵抗変化型等），TFT向けゲートスタック，その他） 13.4 Siプロセス・配線・MEMS・集積化技術（SOI，TFT，エピタキシャル成長／CVD／スパッタ，不純物導入技術／浅接合／過渡的増速拡散，低・高温ポリシリコン及び関連材料，ゲート材料，プロセス導入欠陥，ナノプロセス，金属-半導体界面/コンタクト，シリサイド，配線/プロセス/材料/バリア導電膜，層間絶縁膜/Low-k材料/バリア絶縁膜，平坦化/貼り合わせv３D積層/TSV/再配線，MEMS/NEMS/センサー/アクチュエータ，バイオデバイス/μTAS/人検出，信頼性，パッケージング，統合設計技術，その他（省エネルギー技術など）） 13.5 デバイス／集積化技術（新構造デバイス（ナノワイヤ，FinFETなど）, 新材料デバイス（Si，Ge，III-V，酸化物チャネルなど）, 量子効果デバイス(SET，量子ドット，トンネル，スピンなど）, 不揮発性メモリ（Flash，ReRAM，MRAM，FeRAMなど）, デバイス集積化技術（新プロセス，加工技術，接合技術など）, デバイス動作原理, 諸現象, 信頼性技術, 評価測定技術, 回路設計技術, その他） 13.7 ナノ構造・量子現象（量子井戸・量子細線・量子ドット・ナノワイヤ, その他の量子ナノ構造, ナノ構造成長・作製, ナノデバイス, 低次元光・電子物性, 新現象・新技術） 13.8 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術（窒化物半導体電子デバイス・回路，III-Vチャネル電子デバイス・回路，各種材料パワーデバイス，新材料及び機能デバイス・回路，窒化物半導体各種デバイス，プロセス技術・評価，III-V族半導体各種デバイス，プロセス技術・評価） 13.9 光物性・発光デバイス（シリコン系，希土類添加，蛍光体，ELおよびその他の発光デバイス，半導体光物性） 13.10 化合物太陽電池（III-V 族系太陽電池，量子構造系太陽電池，窒化物・酸化物系太陽電池，カルコゲナイド系太陽電池，新規材料系太陽電池および関連材料） |
| 15. 結晶工学 | 15.1
バルク結晶成長（引き上げ法，バルク結晶，転位，融液成長，基板材料） 15.2 II-VI族結晶および多元系結晶（成長，光物性，電子物性，デバイス・プロセス，新材料・多元系酸化物半導体結晶，ナノ構造） 15.3 III-V族エピタキシャル結晶（N添加混晶，Sb系混晶，量子構造，MBE，MOCVD/MOMBE） 15.4 III-V族窒化物結晶（光物性（InGaN, InN）, 光物性（AlGaN, AlInN）, 電子物性, 磁気物性, 成長（MOVPE）, 成長（MBE, スパッタリング）, 成長（HVPE）, 成長（液相）, デバイス・プロセス, ナノ構造, 異種基板） 15.5 IV族結晶，IV-IV族結晶（疑似基板，SiGeSn (GeSn)，SiGeC，多結晶，量子ドット，ナノ構造，歪み制御，結晶評価，結晶成長） 15.6 IV族系化合物（SiC）（バルク結晶成長，エピ／薄膜成長，電極，絶縁膜／MOS構造，プロセス，パワーデバイス，デバイス（その他），シミュレーション，物性評価） 15.7 エピタキシーの基礎（理論計算，メカニズム，表面構造） 15.8 結晶評価，不純物・結晶欠陥（点欠陥，転位，面欠陥，不純物効果，パッシべーション効果，光学評価，X線評価，電気的評価，構造評価，シミュレーション，その他） |
| 16. 非晶質・微結晶 | 16.1
基礎物性・評価・プロセス・デバイス（カルコゲン系材料，酸化物系材料，シリコン系材料（太陽電池，エナジーハーベスティング以外），有機系材料・有機・無機ハイブリッド材料，微結晶・ナノ粒子・結晶・非晶質混相材料，薄膜・表面・界面・多層膜，新材料・新評価技術，気相成長法（CVD，スパッタ，PLD），気相診断・膜成長過程評価，液・固相成長法（印刷, ゾル-ゲル, アニーリング, コーティング），ファイバーデバイス，薄膜デバイス（太陽電池，エナジーハーベスティング以外），新概念デバイス（太陽電池，エナジーハーベスティング以外）） 16.2 エナジーハーベスティング（熱電材料・素子，振動発電材料・素子，水分解，蓄電・エネルギー貯蔵，その他環境発電関連材料・素子） 16.3 シリコン系太陽電池（結晶系材料：結晶成長・評価，結晶系太陽電池，薄膜系材料：作製・評価，薄膜太陽電池，結晶／非晶質ヘテロ接合太陽電池，光閉じ込め技術，透明電極形成技術，パッシベーション技術，モジュール作製・評価技術・標準化，新概念太陽電池） |
| 17. ナノカーボン | 17.1
カーボンナノチューブ，他のナノカーボン材料（成?技術，構造観察評価，構造制御，基礎物性，デバイス応?，その他） 17.2 グラフェン（成?技術，構造観察評価，構造制御，基礎物性，デバイス応?，その他） 17.3 層状物質（成?技術，構造観察評価，構造制御，基礎物性，デバイス応?，その他） |
| 20. 国際セッション |