| 主 催 | 応用物理学会 九州支部 |
| 開催日時 | 平成28年 7月 8日（金）13:00-17:00 |
| 場 所 | 九州大学伊都キャンパス ウエスト2号館 5階 第二会議室（547号室） 福岡市西区元岡744番地 |
| 講 師(1) | 李 義明 教授（台湾国立交通大学） |
| 演 題(1) | Modeling and Simulation of Multilayer Si/SiC Quantum Dot Superlattice for Solar Cell Applications |
| 概 要(1) | This lecture presents a computational study on the band profile of Si/SiC quantum dot (QD) superlattice for solar cell devices and the theoretical conversion efficiency. We find that both the miniband energy of QD superlattice and the conversion efficiency of QD solar cell highly correlate to the space among layers and the number of layers. When the distance between layers is >2 nm, the impact of the number of layers on the tunable ground-state energy bandwidth is weakened. The conversion efficiency increases as the layer distance decreases; however, when the number of layers is greater than 4, the increasing rate of conversion efficiency declines. | 講 師(2) | 寒川 誠二 教授（東北大学） |
| 演 題(2) | 中性粒子ビームプロセスによる原子層エッチング、表面改質、堆積技術とナノデバイス開発 |
| 概 要(2) | 半導体デバイス製造においては微細加工，表面改質，薄膜堆積などのキープロセスで反応性プラズマが多く用いられており，今や原子層レベルの加工精度や分子レベルの構造を制御できる堆積精度が要求されている。しかしながら，プラズマプロセスを用いると今後の主流となるナノオーダーの極微細デバイスにおいては，プラズマから放射される電子やイオンの蓄積による絶縁膜破壊や異常エッチング，真空紫外光などの照射により数十nm深さの表面欠陥生成が深刻な問題となる。特にナノデバイスでは表面の割合がバルクに対して大きくなるので，従来では問題にならなかった紫外線照射による表面欠陥生成によってデバイスの電気的および光学的特性に大きな影響を与えるようになってきた。さらに，今後のナノデバイスにおいては3次元ナノ構造の原子層レベルでの寸法制御が必要不可欠であるため，原子層レベルでの選択的で高精度な表面化学反応制御が必要不可欠となってきている。これらの問題を解決する手段として，私どもが開発した“中性粒子ビームプロセス技術”が注目を集めている。中性粒子ビームは荷電粒子や放射光の基板への入射を抑制し，運動エネルギーを持った中性粒子のみを照射できるので，原子層レベルでの欠陥生成を制御して表面化学反応を高精度に制御したプロセスが可能な超高精度ナノプロセスである。本講演では，私どもが開発した中性粒子ビーム生成手法を紹介し，最近精力的に行われているナノプロセス・デバイスへの応用について述べる。 |
| 参加費 | 無料 |
| 世話人 | 白谷 正治 九州大学大学院 システム情報科学研究院 電話: 092-802-3733，Fax: 092-802-3734 email: |
支部長 ： 原 一広（九州大学）
khara[at]nucl.kyushu-u.ac.jp
庶務幹事： 林 健司（九州大学）
hayashi[at]ed.kyushu-u.ac.jp
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