日　時　：　１９９８年５月２８日（木）１３：００〜１７：００

　　　　場　所　：　化学会館ホール（千代田区神田駿河台１−５）

　　　　演　題　：

　　１）長寿命紫色InGaN/GaN/AlGaN系半導体レーザ

　　　　日亜化学工業・開発部　　　　　　　　中村修二　

　　２）ＧａＮ系青色レーザの特性解析

　　　　東芝・先端半導体デバイス研究所　　　小野村正明、斎藤真司、杉浦理沙、

　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　西尾譲二、板谷和彦

　　３）ＧａＮ系半導体レーザの現状

　　　　ソニー・中央研究所　　　　　　　　　小林俊雅、中村文彦、船戸健次、

　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　長沼香、東條剛、池田昌夫

　　４）減圧MOVPE法によるSiC基板上のGaN系レーザ

　　　　富士通研究所　　　　　　　　　　　　倉又朗人、堂免恵、副島玲子、

　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　堀野和彦、窪田晋一、棚橋俊之

　　５）ＧａＮ系レーザーダイオードの端面検討

　　　　名城大学理工学部電気電子工学科　　　加藤久喜、竹内哲也、安部智利、

　　　　ヒューレット・パッカード研究所＊　　水本竜一、山口栄雄、Christian

　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　WETZEL、天野浩、赤崎勇、

　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　金子和＊、山田範秀＊