日　時　：　１９９８年９月１日（火）１３：００〜１７：００

　　　　場　所　：　機械振興会館研修１号室（港区芝公園３ー５ー８）

　　　　演　題　：

　　１）イントロダクトリトーク

　　　　松下電子電総研 　　　　　　　　太田順道

　　２）携帯電話用 AlGaAs HBT MMIC の開発

　　　　三菱電機　　　　　　　　　　　　　　服部亮、紫村輝之、三浦猛

　　３）InGaP/GaAs HBT の携帯電話用パワー増幅器応用

　　　　富士通研　　　　　　　　　　　　　　岩井大介、今西健治、中舎安宏、

　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　小原史朗、宮下工、常信和清

　　４）InGaP 系高出力 HJFET

　　　　NEC ULSI 研　　　　　　　　　　 　　岡本康宏、松永高治*、金森幹夫

　　　　*NEC 関エレ研

　　５）InAlAs/InGaAs 系 HEMT の現状と新展開

　　　　日立中研　 　　　　　　　　　　樋口克彦、三島友義

　　６）AlGaN 薄膜の結晶成長と GaN HEMT への応用

　　　　ソニー中研　　　　　　　　　　　　　河合弘治、中村文彦、原昌輝、

　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　今永俊治　　　 　　　　　

　　７）SiC デバイスの現状

　　　　デンソー基礎研　　　　　　　　　　　奥野英一