日　時　：　１９９８年１１月１７日（火）１０：００〜１７：００

　　　　場　所　：　化学会館ホール（千代田区神田駿河台１ー５）

　　　　演　題　：

１）GaN中の転位ー無害性の起源（招待講演） 　　東大 前田康二

２）InGaN量子井戸発光デバイスにおける輻射及び非輻射再結合過程（招待講演）

京大、*日亜化学 　　川上養一、成川幸男、西條慎、藤田茂夫、*中村修二

３）InGaN成長における転位効果と組成不均一制御

徳島大　　　菅原智也、Maosheng Hao、Tao Wang、中川大輔、鳥取悟、R.S.Qhalid Faree、山下憲二、野崎雅章、直井美貴、西野克志、酒井士郎

４）立方晶GaN中の面状欠陥

アトムテクノロジー研究体　 田村誠男、広山雄一

５）発光分光分析によるGaN ECR-MBE成長の観察と窒素プラズマ中への水素混入の効果

立命館大　　　　　　　千葉恭男、野畑真純、名西恵之

　

６）Naフラックスを用いたバルクGaN単結晶の育成と評価

阪大、*東北大　　　　森勇介、矢野雅一、岡本光央、佐々木孝友、*山根久典

７）窒化物半導体の選択成長とファセットレーザへの応用（招待講演）

ＮＴＴ　　　　　　　　赤坂哲也、安藤精後、小林康之、熊谷雅美、小林直樹

８）ELOによるGaN膜中の欠陥の低減と制御（招待講演）

　　　　日本電気 　　酒井朗、砂川晴夫、木村明隆、碓井彰

９）LEO GaN上のGaN、InGaNの電気・光学的特性（招待講演）

　　　　東京理科大、*ＵＣＳＢ、 秩父重英、＊James Speck、*Umesh Mishra、
　　　　**ＨＰ、***早大、 　　*Steven DenBaars、**Jeffrey Rosner、
　　　****日亜化学 　　　　　　***宗田孝之、****中村修二
　 　　

１０）総合討論