応用物理学会応用電子物性分科会研究例会

「次世代高周波パワーGaN・SiC電子デバイス」

日時：

　2001年5月30日（水）　13:00-17:00

場所：

　機械振興会館6階67号室(東京都港区芝公園3-5-8、Tel: 03-3434-8211)

内容：

1. 13:00-13:15「ナイトライド系半導体高周波パワーデバイスに対する期待と課題」
   • 名西やすし（立命館大理工学部）
2. 13:15-13:30「GaN，SiCに期待するパフォーマンス」
   • 奥村　元（新機能研究開発素子協会）
3. 13:30-14:05「GaN系高周波パワーFET」
   • 大野泰夫（徳島大学工学部）
4. 14:05-14:40「SiC高周波デバイスの現状と課題」
   • 新井　学（新日本無線マイクロ波事業部）
5. 14:40-15:00 休憩（総会　5分）
6. 15:00-15:30「SiC単結晶ウエハの高品質化と導電性制御」
   • 大谷　昇、勝野正和、藤本辰雄、藍郷　崇、矢代弘克（新日本製鐵先端研）
7. 15:30-16:00「SiCの導電性制御による2インチφ低抵抗および高抵抗基板の開発」
   • 塩見弘，中山 浩二，三柳洋一，*西野茂弘（シクスオン，*京都工芸繊維大学）
8. 16:00-16:30「GaN用サファイアウェハーの状況」
   • 渡辺健一（京セラファインセラミック事業本部）
9. 16:30-17:00「GaN基板を目指したGaAs(111)基板上GaN成長」
   • 纐纈明伯（東京農工大工学部，住友電工）

参加費：当日受付（テキスト代・消費税込み）

応用電子物性分科会会員：無料、一般　3,000円、学生1,000円

担当幹事：

• 小出　康夫（京都大学）
• 奥村　元（電総研）
• 坂口　春典（日立電線）
• 冬木　隆（奈良先端大学院大学）