応用電子物性分科会研究例会

高誘電率ゲート絶縁膜の現状と展望

主催：

　応用物理学会応用電子物性分科会

日時：

　2003年9月19日（金）13：00〜17：00

場所：

　機械振興会館　6階　66号室
（東京都港区芝公園３−５−８　TEL:03-3434-8211）

内容：

1. 高誘電率ゲート絶縁膜の現状と最近の話題　
   • 北島　洋（Selete)
2. SiNx/HfO2/SiON積層ゲート絶縁膜構造によるPoly-Siゲートプロセスの安定化
   • 杉田義博、森崎祐輔、肖　石琴、入野　清、青山敬幸、杉山芳弘　（富士通）
3. 耐熱性高誘電率ゲート絶縁膜材料としてのＨｆシリケート
   • 西山　彰（東芝）
4. HfAlO（N)ゲート絶縁膜の構造変化と電気特性
   • 生田目俊秀、岩本邦彦、富永浩二、安田哲二、西村智明、堀川　剛、鳥海　明（MIRAI）
5. 高誘電率ゲート絶縁膜を用いたMISFETの移動度低下機構
   • 斎藤慎一、久本　大、平谷正彦，木村紳一郎　（日立）

講演時間：

　講演40分　：　質疑応答を含む

参加費：

　当日受付(テキスト代・消費税込み)

　応用電子物性分科会会員：無料、一般：3,000円、学生：1,000円

問合せ先：

徳光永輔（東工大）　E-mail: tokumitu_at_neuro.pi.titech.ac.jp