応用電子物性分科会研究例会

ダイヤモンド・デバイスの展望
−ここまで来たダイヤモンド半導体−

主催： 応用物理学会応用電子物性分科会

開催日時：平成１６年５月２８日（金）１３：００〜１７：００

場所：日本私立学校振興・共催事業団内　私学会館分室５階５０２号室（東京都千代田区富士見１−１０−１２　TEL:０３−３２３０−１３２６）
地下鉄東西線・半蔵門線・新宿線　九段下駅1番出口
地下鉄有楽町線・南北線・大江戸線　飯田橋駅B2a出口
JR線　飯田橋駅西口下車　徒歩約5分
地図：　http://www.shigaku.go.jp/s_map.htm

演題：
１．１３：０５〜１３：２０　「ダイヤモンド・デバイス研究の動向」　藤森　直治（産総研）
２．１３：２０〜１３：５５　「高品質ｐ型ダイヤモンドの成長とショットキー接合特性」　大串　秀世（産総研）
３．１３：５５〜１４：３０　「高品質ｎ型ダイヤモンドの成長とｐｎ接合特性」　小泉　聡（物材機構）
４．１４：３０〜１５：０５　「気相成長ダイヤモンド単結晶基板」　今井　貴浩（住友電工）
１５：０５〜１５：１５　　休憩（１０分）
５．１５：１５〜１５：５０　「ダイヤモンドにおけるキャリア輸送特性と高周波FETへの応用」　川原田　洋（早大）
６．１５：５０〜１６：２５　「ダイヤモンドMESFETのミリ波帯増幅と高周波出力電力特性」　嘉数　誠（NTT）
７．１６：２５〜１７：００　「ダイヤモンドpip型FET」　横田　嘉宏（神戸製鋼）

参加費：
当日受付（テキスト代・消費税込み）　分科会会員：無料，応物会員：3,000円，一般：4,000円，学生：1,000円

問合せ先：
小出康夫（物材機構） E-mail: koide.yasuo_at_nims.go.jp
佐野芳明（沖電気） E-mail: sano567_at_oki.com