応用電子物性分科会研究例会

窒化アルミニウム―結晶・プロセス・デバイスの最前線―

窒化アルミニウム(AlN)は、圧電素子や高放熱性絶縁材料としてGaNやInNよりも早くから実用に用いられてきました。一方近年の窒化物結晶技術の進歩により、良質な単結晶AlNが実現されるようになりました。これにより新しい機能を持たせたデバイスへの展開が見えつつあります。今回「光デバイス、電子デバイス高性能化に向けた基板・エピ成長・プロセス」の視点から、講師の先生方に最先端のトピックスを紹介していただき、デバイス材料としてのAlNの可能性を探りたいと思います。

開催日時：2004年10月29日（金）13:00 〜17:00
場所：機械振興会館6階66号室（東京都港区芝公園3-5-8　TEL：03-3434-8211）
演題：
(1) 13:10〜13:45 LPEによるAlN単結晶成長，亀井一人、井上　茂（住友金属総研）
(2) 13:45〜14:20 HVPE法によるAlN成長，纐纈明伯、熊谷義直（農工大）
(3) 14:20〜14:55 AlNエピ基板を用いたAlGaNの転位低減技術と光デバイス応用，三宅秀人1)、平松和政1)、柴田智彦2)、桑野範之3)（三重大・工1)，日本ガイシ2)，九大・先端センター3)）
―休憩（15分）―
(4) 15:10〜15:45 AlNを電流ブロックに用いたプレーナ型青紫色レーザ，大矢昌輝、福田和久、角野雅芳、松舘政茂、木村明隆、笹岡千秋、西　研一（NECシステムデバイス研）
(5) 15:45〜16:20 n型AlNの物性とそれを用いたショットキーダイオード，谷保芳孝、嘉数　誠、牧本俊樹（NTT物性基礎研）
(6) 16:20〜16:55 MBEによるAlN/SiCの界面制御とMISFETへの応用，須田　淳1),2)、木本恒暢1)（京大1)、JSTさきがけ「ナノと物性」2)）
参加費：当日受付(テキスト代・消費税込み)
　　　　分科会会員：無料、応用物理学会会員（非分科会会員）：3,000円、
　　　　一般：4,000円、学生：1,000円
問合せ先： 笹岡千秋（NECシステムデバイス研）E-mail: sasaoka_at_cp.jp.nec.com
　　　　　 須原理彦（東京都立大） E-mail: suhara_at_eei.metro-u.ac.jp
　　　　　 原　直紀（富士通研） E-mail: hara_at_kahan.flab.fujitsu.co.jp