今日パワーエレクトロニクス分野において確固たる地位を築いたシリコン半導体は、今後もゆるぎない発展を続けるものと思われます。この様な背景の中、近年新しく登場したＳｉＣおよびＧａＮのワイドギャップ半導体は着実な進歩を遂げ、シリコンにない低い電力損失、高速スイッチ、並びに高温動作を実現する可能性を現実化させようとしています。本研究会においては、これらワイドバンドギャップ半導体パワーデバイスの現状と展望を把握することを目的としています。
開催日時： 2006年7月27日（木）13：00〜17：00
場 所： 機械振興会館 ６階６６会議室（定員９０名）
東京都港区芝公園３−５−８ 都営地下鉄三田線御成門駅下車
徒歩8分（地図：http://www.jspmi.or.jp/map.htm）
演 題：
(1) ワイドバンドギャップ半導体が拓くパワーエレクロニクスのパラダイムシフト
13:05〜13:55 大橋弘通 （産総研）
(2) ノーマリオフ型600V耐圧SiC接合FET
13:55〜14:35 小野瀬秀勝，大柳孝純，小野瀬保夫，染谷友幸，横山夏樹，宝蔵寺裕之，石川勝美 （日立）
(3) SiCパワーMOSFETの開発
14:35〜15:15 樽井陽一郎，渡辺友勝，藤平景子，三浦成久，中尾之泰、 木ノ内伸一，今泉昌之，大森達夫 （三菱電機）
休憩（15分）
(4) AlGaN/GaN高耐圧スイッチ
15:30〜16:10 大村一郎，斉藤 渉，津田邦男 （東芝セミコンダクター社）
(5) 立方晶GaN/AlGaN/3C-SiC−HEMT技術の展望
16:10〜16:50 安部正幸，長澤弘幸，D. J. As，K. Lischka （HOYA）
参加費：
当日受付（テキスト代・消費税込）
分科会会員：無料，応物会員：3,000円，一般：4,000円，学生：1,000円
問合せ先：
小出康夫（物材機構） E-mail: koide.yasuo_at_nims.go.jp
徳光永輔（東工大） E-mail: tokumitu_at_neuro.pi.titech.ac.jp
佐野芳明（沖電気） E-mail: sano567_at_oki.com
津田邦男（東芝） E-mail: kunio.tsuda_at_toshiba.co.jp