ZnO系ヘテロ接合の物理とデバイス応用
近年、ZnO系材料の結晶成長技術は驚くべきスピードで進展し、高品質なヘテロ界面の作製が現実のものとなってきました。このような背景から、バンドエンジニアリングに基づく高性能な電子・光デバイスを目指した研究開発が進められています。本研究会では、ZnO系ヘテロ界面の最先端のトピックスを紹介して頂き、高性能デバイスの可能性を探りたいと思います。
日時：2007年6月12日（火）13:00 〜17:00 (開場12：30)
場所：機械振興会館6階66号室 （東京都港区芝公園3-5-8 TEL：03-3434-8211）
演題：
（１）13:10〜13:45 パルス励起堆積（PXD）法による窒化物室温エピタキシャル成長
藤岡洋（東京大学生産研、神奈川科学技術アカデミー）
（２）13:45〜14:20 ZnO系半導体の結晶成長と発光素子
天明二郎（静岡大学電子工学研究所）
（３）14:20〜14:55 近接場相互作用により駆動するZnO系ナノフォトニックデバイス
八井崇1)、Gyu-Chul Yi2)、大津元一1,3)
（科学技術振興機構SORST1）、POSTECH2)、東大工3)）
休憩（15分）
（４）15:10〜15:45 ZnMgO/ZnOヘテロ構造の電気輸送特性とZnMgOの光学特性
反保衆志1)、柴田肇1)、山田昭政1)、ポールフォンス1)、
多井中伴之2)、千葉優介2)、蟹江壽2)、仁木栄1)
（産業技術総合研究所1）、東京理科大学2)）
（５）15:45〜16:20 ZnOの量子ホール効果
大友 明1,2)、塚崎 敦1)、北 智洋3,4)、大野裕三3)，
大野英男3,4)，川崎雅司1,5)（東北大金研1）、JSTさきがけ2)、
東北大通研ナノ・スピン実験施設3)、ERATO-JST4)、 JST-CREST5)）
（６）16:20〜16:55 酸化亜鉛系HEMTタイプトランジスタとその応用
佐々誠彦、矢野満明、小池一歩、前元利彦、井上正崇
（大阪工業大学ナノ材料マイクロデバイス研究センター）
参加費：当日受付(テキスト代・消費税込み)
分科会会員：無料、応用物理学会会員（非分科会会員）：3,000円、一般：4,000円、学生：1,000円
問合せ先：笹岡千秋（NECシステムデバイス研） E-mail: sasaoka_at_cp.jp.nec.com
小出康夫（物質・材料研究機構） E-mail: koide.yasuo_at_nims.go.jp
佐野芳明（沖電気研究開発本部） E-mail: sano567_at_oki.com
須原理彦（首都大学東京） E-mail: suhara_at_comp.metro-u.ac.jp