応用物理学会

応用電子物性分科会・スピントロニクス研究会　共同主催研究会

スピントロニクスの基礎と応用：

高密度・熱安定スピン材料・デバイスと集積回路技術

磁気トンネル接合（MTJ）に代表されるスピントロニクスデバイスの極微細化・熱安定化とメモリ・回路への応用研究が盛んになりつつあります．本研究会では，極微細・高熱安定スピン材料として期待される垂直磁化膜の基礎物性と垂直磁化TMRメモリ，スピン注入書き込み方式のメモリ素子，さらに不揮発性スピンデバイスを用いた回路技術の研究を紹介していただきます．

http://annex.jsap.or.jp/support/division/ohden/　(応用電子物性分科会)

http://annex.jsap.or.jp/spinelec/　（スピントロニクス研究会）

開催日時：　2008年10月29日（水）13：00～17：00

場　所　：　機械振興会館　６階６６会議室（定員９０名）

●東京都港区芝公園３－５－８　都営地下鉄三田線御成門駅下車 徒歩8分（地図：http://www.jspmi.or.jp/mapright.htm）

演題・講師：

　(1) 大きな垂直磁気異方性を有する磁性薄膜の形成と
ビット・パターン媒体への応用

13:10～13:50 島津武仁（東北大通研）

　(2) Efficient spin transfer torque writing of perpendicular MTJ

13:50～14:30 　　　　　與田博明（東芝）

―　休憩（20分）―

　(3) 積層フェリ記録層を搭載したMgO障壁トンネル磁気抵抗効果素子とSPRAM

14:50～15:30 　　　　 早川純¹・池田正二²・三浦勝哉^1,2・山ノ内路彦¹・李永珉²・松倉文礼²・佐々木龍太郎²・目黒敏康²・竹村理一郎³・河原尊之³・市村雅彦¹・伊藤顕知¹・高橋宏昌¹・松岡秀行¹・大野英男^２
（¹日立基礎研、²東北大通研、³日立中研）

　(4) 不揮発性ラッチ回路とMTJの応用

15:30～16:10 　　　　　安部恵子¹・藤田忍¹・Thomas H. Lee²
（¹東芝、²Stanford Univ.）

　(5) スピン機能MOSFETによるスピントランジスタ・エレクトロニクス

16:10～16:50 　　　　　菅原聡・周藤悠介・山本修一郎（東工大）

参加費：当日受付（テキスト代・消費税込）　　※事前受付はありません

応電分科会、スピントロニクス研究会　会員：無料

応物会員：3,000円，一般：4,000円，学生：1,000円

問合せ先：

大野裕三（東北大通研） E-mail: oono＠riec.tohoku.ac.jp（応用電子物性分科会）

伏見 浩（新日本無線） E-mail: fushimi＠njr.co.jp（応用電子物性分科会）

石綿延行（ＮＥＣ） E-mail: n-ishiwata＠cw.jp.nec.com（スピントロニクス研究会）

山本眞史（北大） E-mail: yamamoto＠nano.ist.hokudai.ac.jp（スピントロニクス研究会）