2010年秋季　第71回応用物理学会学術講演会　シンポジウム
（応用電子物性分科会／薄膜・表面物理分科会合同企画）

ここまで来ているダイヤモンド電子デバイス
−結晶成長からデバイス応用まで−

　1982年にダイヤモンドの薄膜成長が成功されて以来28年が経過しました。この間、高品質単結晶薄膜成長法の確立、p型およびn型伝導制御法の確立、ダイヤモンド表面、並びに金属及び絶縁体／ダイヤモンド界面の理解等を通して、ダイヤモンドを半導体として光・電子デバイスに展開するプロセシング技術は着実に進歩してきています。本シンポジウムでは、現時点のダイヤモンドの結晶成長・基板技術から電子デバイス技術までを幅広く議論することを目的としています。

（http://annex.jsap.or.jp/support/division/ohden/）

開催日時：2010年9月14日（火）　13：15〜17：20　（学術講演会　初日）

場所：長崎大学（長崎県長崎市文教町1-14）
　　　　総合教育研究棟　3F-大講義室（ZJ会場）
　　　　　http://www.jsap.or.jp/activities/annualmeetings/index.html
　　　　　http://www.mase.nagasaki-u.ac.jp/jsap.html

演題：

(1)13:15〜13:25
　「はじめに」
　　小出康夫（物材機構）

(2)13:25〜13:55
　「インチサイズウエハを目指した単結晶基板展望」
　　藤森直治（（株）イーディーピー）

(3)13:55〜14:25
　「ダイヤモンドヘテロエピ成長とインチ級基板」
　　澤邊厚仁（青学大理工、AGDマテリアル（株））

(4)14:25〜14:55
　「ダイヤモンド低損失電力デバイスの可能性」
　　川原田洋（早大理工）

(5)14:55〜15:25
　「ダイヤモンドパワーデバイス開発動向」
　　鹿田真一（産総研ダイヤラボ）

−休憩−

(6)15:40〜16:10
　「ダイヤモンド新型ダイオード」
　　牧野俊晴（産総研エネ部門）

(7)16:10〜16:40
　「ダイヤモンドPN接合電子放出ダイオード」
　　小泉聡（物材機構）

(8)16:40〜17:10
　「ダイヤモンド電子デバイス基盤技術の最近の進展：高周波電力増幅器を目指して」
　　嘉数誠（NTT物性基礎研）

(9)17:10〜17:20
　「おわりに」
　　山崎聡（産総研エネ部門）

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