応用物理学会応用電子物性分科会主催
応用電子物性分科会研究例会
ダイヤモンド表面・界面の基礎物性
近年、低炭素化社会を実現する省エネルギー・環境エレクトロニクス材料として、ダイヤモンド半導体が注目されています。ダイヤモンド半導体は、高品質単結晶薄膜成長法の確立やp型およびn型伝導制御法の確立を通して、光・電子デバイスに展開するプロセシング技術は着実に進歩してきました。本研究会では、ダイヤモンド表面・界面の基礎物性に焦点を当てることを目的としています。
(http://annex.jsap.or.jp/support/division/ohden/)
開催日時:2011年 1月18日(火) 13:30〜16:35
場所:機械振興会館 地下3階 研修室2
(東京都港区芝公園 3-5-8:http://www.jspmi.or.jp/mapright.htm)
[都営地下鉄三田線御成門駅下車 徒歩8分]
演題:
(1)13:30~14:05
「ダイヤモンド表面電気伝導層について」
河野 省三(青山学院大)(2)14:05~14:40
「ダイヤモンド表面の負性電子親和力(NEA)と電子放出素子」
竹内 大輔(産総研)−休憩−
(3)14:50~15:25
「金属/p型ダイヤモンド界面の安定性とショットキーダイオード特性」
寺地 徳之(物材機構)(4)15:25~16:00
「金属/n型ダイヤモンド界面の電気的特性」
鈴木 真理子(東芝)(5)16:00~16:35
「ダイヤモンド/アルミナ界面とMISFET」
川上 信之,横田 嘉宏(神戸製鋼所)
受付:当日(事前登録の必要はありません)
参加費(テキスト代・消費税込)
分科会会員:無料、
応用物理学会会員(非分科会会員):3,000円、
一般:4,000円、学生:1,000円
問合せ先: 小出 康夫(物材機構) E-mail: koide.yasuo@nims.go.jp
山田 明 (東工大) E-mail: yamada@solid.pe.titech.ac.jp
福田 常男(大阪市立大) E-mail: tfukuda@a-phys.eng.osaka-cu.ac.jp
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