応用電子物性分科会６月研究例会

応用物理学会　結晶工学分科会・応用電子物性分科会主催
結晶工学分科会・応用電子物性分科会連携研究会

ワイドギャップ半導体パワーデバイス

　SiC、GaNなどワイドギャップ半導体を用いたパワーデバイスは、高い絶縁破壊電界強度や高温動作性などで本質的にSiデバイスより優れています。本年は、SiC系パワーデバイス、GaN系パワーデバイスやHEMTが本格的に実用化される元年になることが予測され、その動向が注目されています。
　今回の研究会では、結晶工学分科会と応用電子物性分科会とが連携して研究会を企画して、結晶工学分科会ではSiC、GaNの結晶成長と評価を中心に、応用電子物性分科会ではデバイス応用を中心に構成しました。

　＜結晶工学分科会主催研究会［6月23日（木）開催］につきましては、こちらをご覧下さい。＞

開催日時：2011年 6月24日（金）10:30 - 17:00

場所：京都テルサ大会議室
　　　［ＪＲ京都駅八条口西口より南へ徒歩約10分：http://www.kyoto-terrsa.or.jp/access.html］

演題：- Si，SiC，GaNのすみ分けと展開 -

(1) 10:30-10:35
　　応用電子物性分科会幹事長挨拶
　　　井須俊郎（徳島大学）

(2) 10:35-11:30【基調講演】
　　「ワイドギャップ半導体パワーデバイスの現状と将来展望」
　　　奥村元（産総研）

(3) 11:30-12:10
　　「低炭素社会実現へのキー技術：パワーエレクトロニクスとパワー半導体」
　　　大村一郎（九州工業大学）

　［12:10-13:10　昼休み]

(4) 13:10-13:50
　　「SiCパワーデバイス・モジュールの実用化・開発の現状」
　　　中村孝（ローム）

(5) 13:50-14:30
　　「300℃耐熱高信頼SiCパワーデバイス」
　　　谷本智（次世代パワーエレクトロニクス研究開発機構/日産自動車）

(6) 14:30-15-10
　　「EV・HVへのワイドギャップ半導体パワーデバイスの応用」
　　　加地徹（豊田中央研究所）

　［15:10-15:20　休憩］

(7) 15:20-16:00
　　「パワーエレクトロニクス用GaN-HEMT開発の現状」
　　　齋藤渉（東芝セミコンダクター社）

(8) 16:00-16:40
　　「GaNパワーデバイスの将来展望」
　　　葛原正明（福井大学）

受付：当日(事前登録の必要はありません)
参加費（テキスト代・消費税込：当日、会場にてお支払い下さい。）
　　　　　応用電子物性分科会会員：3,000円、
　　　　　応用物理学会会員（非分科会会員）：5,000円、
　　　　　一般：10,000円、学生：1,000円

　※結晶工学分科会との連携による特別企画のため、特別な参加費の設定となっております。
　　また、前日開催の結晶工学分科会主催研究会とは別に参加費が必要です。
　　ご了承下さい。

問合せ先：井須俊郎（幹事長：徳島大学）E-mail: t.isu＠frc.tokushima-u.ac.jp
　　　　　伏見浩　（新日本無線）　　　E-mail: fushimi＠njr.co.jp
　　　　　土屋忠厳（日立電線）　　　　E-mail: tsuchiya.tadayoshi＠hitachi-cable.co.jp
　　　　（スパム対策のため、上の"＠"は全角になっています。半角の"@"に置き換えて下さい。）

連携研究会のご案内：

前日の6月23日(木) に
「ワイドギャップ半導体パワーデバイス　- 結晶成長と評価の最前線 -」
が結晶工学分科会主催にて同じ京都テルサで開催されます。
ご興味のある方は、併せて参加をご検討下さい。

講演内容：	木本恒暢	（京都大学）	「SiCパワーデバイスの現状と将来展望」【基調講演】
	山内庄一	（デンソー）	「SiC単結晶成長技術の現状と課題」
	土田秀一	（電力中央研究所）	「4H-SiCエピ成長と欠陥挙動解析」
	江龍修	（名古屋工業大学）	「SiC加工表面の非接触評価」
	碓井彰	（古河機械金属）	「パワーデバイス用GaN基板の開発(仮)」
	小宮山純	（コバレントマテリアル）	「大口径GaN/Si基板の開発」
	江川孝志	（名古屋工業大学）	「MOCVD法によるSi基板上AlGaN/GaN HEMTについて」

＊結晶工学分科会主催研究会の参加費は、同分科会の案内に従ってお支払いください。
　その際、応電分科会会員であっても会員割引は適用されませんのでご注意ください。
　詳細は結晶工学分科会のホームページをご覧下さい。

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