応用物理学会　応用電子物性分科会主催
応用電子物性分科会研究例会

デバイス応用に向けたナノカーボン成長技術の新展開

　もともとグラファイトから粘着テープを用いた剥離法で単離されたグラフェンですが，その成長技術の最近の著しい進展には目を見張るものがあります．また，高純度，大量合成技術が確立しつつあるカーボンナノチューブでは，実用化に向けた成長技術の開発に期待が寄せられています．本研究例会では，グラフェンおよびカーボンナノチューブの成長に関しての新しい試みについて紹介して頂きます．またそのデバイス等への応用展開について議論したいと思います．

開催日時：2011年12月22日（木）13:30 - 17:10　［開場 13:00］

場所：首都大学東京　サテライトキャンパス
　　　（千代田区外神田 1-18-13　秋葉原ダイビル12階1202号室：http://www.tmu.ac.jp/access.html）

演題：

(1) 13:30-14:05
　　「将来のデバイスにおけるナノカーボン材料への期待と課題」
　　　佐藤信太郎，横山直樹（産業技術総合研究所）

(2) 14:05-14:40
　　「液相グラフェン成長による絶縁体上へのグラフェンの直接形成」
　　　日浦英文（NEC／物質・材料研究機構）

(3) 14:40-15:15
　　「ホウ素添加したダイヤモンドとカーボンナノチューブの合成と物性」
　　　高野義彦（物質・材料研究機構）

　- 休憩（10分）-

(4) 15:25-16:00
　　「カーボンナノチューブの基板上高速成長と用途に合わせたカスタム合成」
　　　野田　優（東京大学）

(5) 16:00-16:35
　　「プラズマCVDによるグラフェンの低温合成と大量生産の可能性」
　　　長谷川雅孝（産業技術総合研究所）

(6) 16:35-17:10
　　「プラスチック基板上に作製したカーボンナノチューブ薄膜トランジスタと集積回路」
　　　大野雄高（名古屋大学）

受付：こちらから事前登録をお願いいたします．

参加費（テキスト代・消費税込：当日，会場にてお支払い下さい．）
　　　　　分科会会員：2,000円，
　　　　　応用物理学会会員（非分科会会員）：5,000円，
　　　　　一般：7,000円，学生：1,000円

　※2011年4月より，参加費が改定となっております．ご了承下さい．
　　詳しくはこちらをご覧下さい．

問合せ先：鈴木　哲（ＮＴＴ物性科学基礎研究所） E-mail: suzuki.satoru＠lab.ntt.co.jp
　　　　　小林慶裕（大阪大学）　　　　　　　　 E-mail: kobayashi＠ap.eng.osaka-u.ac.jp
　　　　　小出康夫（物質・材料研究機構） 　　　E-mail: koide.yasuo＠nims.go.jp
　　　　　須原理彦（首都大学東京）　　　　　　 E-mail: suhara＠tmu.ac.jp
　　　　（スパム対策のため，上の"＠"は全角になっています．半角の"@"に置き換えて下さい．）

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