応用物理学会　応用電子物性分科会主催
応用電子物性分科会研究例会

ワイドギャップ半導体パワーデバイスの進展

　省エネ技術として世の中に大きなインパクトを与えることが期待されるワイドギャップ半導体パワーデバイスの実用化が始まっています．本研究例会では，SiCおよびGaNパワーデバイスの最近の開発動向と課題について第一線で活躍されている皆様からご講演いただき，さらなる発展にむけた議論を深めることを目的としています．

開催日時：2012年11月 2日（金）13:00 - 16:50（開場 12:30）

場所：金沢工業大学大学院　虎ノ門キャンパス　13F会議室
　　　（東京都港区愛宕 1-3-4　愛宕東洋ビル：http://www.kanazawa-it.ac.jp/tokyo/map.htm）

協賛：金沢工業大学

演題：

13:00-13:05
　　応用電子物性分科会幹事長 挨拶

(1) 13:05-13:40
　　「SiCデバイス開発とインバータ応用」
　　　今泉　昌之（三菱電機（株））

(2) 13:40-14:15
　　「SiCパワーデバイスの基礎研究」
　　　木本　恒暢，須田　淳（京都大学）

(3) 14:15-14:50
　　「SiCパワーデバイスの高信頼性化技術」
　　　先崎　純寿（（独）産業技術総合研究所）

　- 休憩（15分）-

(4) 15:05-15:40
　　「GaN系絶縁膜界面の制御とパワートランジスター応用」
　　　橋詰　保（北海道大学）

(5) 15:40-16:15
　　「GaN分極接合パワー素子の現状と可能性」
　　　河合　弘治（（株）パウデック）

(6) 16:15-16:50
　　「GaNパワーデバイス開発の現状と展望」
　　　上田　哲三（パナソニック（株））

受付：こちらから事前登録をお願いいたします．

参加費（テキスト代・消費税込：当日，会場にてお支払い下さい．）
　　　　　分科会会員：2,000円
　　　　　応用物理学会会員（非分科会会員）：5,000円
　　　　　一般：7,000円
　　　　　学生：1,000円

問合せ先：原田佳幸（東芝）　　　E-mail: yoshiyuki.harada＠toshiba.co.jp
　　　　　小出康夫（物材機構）　E-mail: koide.yasuo＠nims.go.jp
　　　　　御友重吾（ソニー）　　E-mail: Jugo.Mitomo＠jp.sony.com
　　　　　土屋忠厳（日立電線）　E-mail: tsuchiya.tadayoshi＠hitachi-cable.co.jp
　　　　　山口敦史（金沢工大）　E-mail: yamaguchi＠neptune.kanazawa-it.ac.jp
　　　　（スパム対策のため，上の"＠"は全角になっています．半角の"@"に置き換えて下さい．）

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