応用物理学会　応用電子物性分科会主催
応用電子物性分科会研究例会（結晶工学分科会 連携研究会）

ＧａＮ，ＳｉＣ系パワーデバイス
～ 成長・デバイスプロセスの理解 ～

　パワーデバイスはグリーン社会実現の鍵を握る技術分野です。近年，急速な発展を遂げている次世代パワーデバイス材料の代表であるＧａＮ，ＳｉＣについて，結晶成長からデバイスプロセス，結晶欠陥の評価と制御を理解し，そこからデバイスの研究開発状況を総合的に俯瞰する研究会今回も昨年に引き続き，「応用電子物性分科会と結晶工学分科会との連携企画」による研究例会として，初日には基板及びエピタキシャル膜の成長，デバイスプロセスを中心に構造や界面を理解し，２日目には結晶欠陥をキーワードとして積層欠陥，転位，点欠陥などの結晶欠陥の評価や制御とそのデバイス特性への影響について議論を深めたいと考えています。

開催日時：2014年 6月 5日（木）10:30 - 17:00

場所：名古屋大学　坂田・平田ホール (理学南館)
　　　［名古屋市千種区不老町
　　　　地下鉄名城線 名古屋大学駅２番出口より徒歩５分：http://www.nagoya-u.ac.jp/access-map/higashiyama/congre.html］

演題：

10:30-10:35
　　応用電子物性分科会幹事長 挨拶

(1) 10:35-11:25
　　「パワーデバイス実用化のためのGaN系結晶成長・関連技術の理解」
　　　天野 浩（名古屋大学）

(2) 11:25-12:15
　　「縦型GaN系パワーデバイスの理解と応用への課題」
　　　加地　徹（豊田中央研究所）

　- 昼休み（12:15-13:20）-

(3) 13:20-14:10
　　「Si上GaN系パワーデバイスの理解と課題」
　　　吉川 俊英（トランスフォーム・ジャパン）

(4) 14:10-15:00
　　「パワーデバイスに向けてのSiC結晶成長技術の理解と課題」
　　　恩田 正一（デンソー）

　- 休憩（15:00-15:20）-

(5) 15:20-16:10
　　「SiCパワーデバイスの界面制御の理解と課題」
　　　矢野 裕司（筑波大学）

(6) 16:10-17:00
　　「SiCパワーデバイスと市場展開への課題」
　　　三浦 成久（三菱電機）

参加費（テキスト代・消費税込：当日，会場にてお支払い下さい．）
　　　　　応用電子物性分科会／結晶工学分科会 会員：3,000円，
　　　　　両分科会 学生会員：1,000円
　　　　　応用物理学会 会員（非分科会会員）／協賛の会員：7,000円，
　　　　　一般：10,000円，
　　　　　一般学生：2,000円

　※今回は、特別企画のため、通常の研究例会とは参加費が異なっています。
　　また、翌日開催の結晶工学分科会主催研究会とは、それぞれ別に参加費が必要です。
　　ご了承下さい。
　　なお、両分科会の賛助会社の方は分科会会員扱い(3,000 円)とします。
　　当日ご入会の方も応用電子物性分科会会員扱いとします。

問合せ先：三宅秀人　（三重大学）　　　　E-mail: miyake＠elec.mie-u.ac.jp
　　　　　伏見　浩　（東京大学）　　　　E-mail: fushimi＠material.t.u-tokyo.ac.jp
　　　　　重川 直輝 （大阪市大） E-mail: shigekawa＠elec.eng.osaka-cu.ac.jp
　　　　　久保 俊晴 （名工大） E-mail: kubo.toshiharu＠nitech.ac.jp
　　　　　小田 康代　（応物学会・事務局）E-mail: divisions＠jsap.or.jp / Tel: 03-5802-0863（直通）
　　　　（スパム対策のため，上の"＠"は全角になっています．半角の"@"に置き換えて下さい．）

連携研究会のご案内：

翌日の6月6日(金) に
「ＧａＮ，ＳｉＣ系パワーデバイス　− 結晶欠陥の評価・制御の最前線 −」
が結晶工学分科会主催にて同じ名古屋大学　坂田・平田ホールで開催されます。

＊結晶工学分科会主催研究会の参加費は、同分科会の案内に従ってお支払いください。
　応電分科会会員の皆様も会員割引となりますので，併せて参加をご検討ください。
　詳細は結晶工学分科会のホームページをご覧下さい。

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