応用物理学会　応用電子物性分科会主催
応用電子物性分科会10月研究例会

次世代不揮発性メモリの最前線

　近年のデータ量の爆発的増加にともなって，一層の高速動作や低消費電力化という要求に対応するために新しい不揮発性メモリの研究が加速されています．
　そこで本研究例会では，第一線でご活躍されている研究者の皆様をお招きして，MRAM (Magnetoresistive Random Access Memory) やReRAM (Resistive Random Access Memory) といった次世代の不揮発性メモリ技術を中心に，最新の成果と今後の展望についてご講演いただきます．

開催日時：2014年10月21日（火）　13：00～17：05（開場 12:30）

場所：首都大学東京　秋葉原サテライトキャンパス D室・E室
　　　（東京都千代田区外神田1-18-13 秋葉原ダイビル 12階）
　　　　http://www.tmu.ac.jp/university/campus_guide/access.html

演題：

13:00-13:05
　　応用電子物性分科会幹事長 挨拶

(1) 13:05-13:50
　「ストレージ・クラス・メモリによるビッグデータの高速処理」
　　竹内 健 （中央大学）

(2) 13:50-14:35
　「垂直磁化方式MTJ技術開発の進展とそのノーマリーオフメモリシステム実現への効果」
　　與田 博明 （（株）東芝）

(3) 14:35-15:20
　「システムLSI混載用スピン注入型MRAMの高性能化技術」
　　射場 義久 （超低電圧デバイス技術研究組合（LEAP））

　- 休憩（15分）-

(4) 15:35-16:20
　「界面抵抗変化型不揮発性メモリ」
　　澤 彰仁 （産業技術総合研究所）

(5) 16:20-17:05
　「抵抗変化型メモリのフィラメント制御」
　　上沼 睦典 （奈良先端科学技術大学院大学）

参加費（テキスト代・消費税込：当日，会場にてお支払い下さい．）
　　　　　分科会会員：2,000円
　　　　　応用物理学会会員（非分科会会員）：5,500円
　　　　　一般：8,000円
　　　　　学生：1,000円

問合せ先：成瀬陽子（パナソニック）E-mail: naruse.yohko＠jp.panasonic.com
　　　　　荒川 太郎（横国大）E-mail: arakawa＠ynu.ac.jp
　　　　　土屋忠厳（エー・イー・テック）E-mail: ttsuchiya＠aetech.jp
　　　　　須原理彦（首都大学東京）E-mail: suhara＠tmu.ac.jp
　　　　（スパム対策のため，上の"＠"は全角になっています．半角の"@"に置き換えて下さい．）

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