応用物理学会　応用電子物性分科会主催
応用電子物性分科会 研究例会

大電力スイッチングに向けた最前線
～SiC・GaNデバイスと超伝導システム～

　パワーエレクトロニクスが非常なホットな話題となっています。
　本例会では，電力送電などで求められる大電力スイッチングを取り上げ，システムからSiC・GaN系パワーデバイス，送電線材料の観点から，第一線で活躍される研究者の皆様をお招きし，その最前線と今後の展望についてご講演頂きます．

開催日時：2015年 12月18日（金）13:30 ～ 18:00

場所：名古屋工業大学　52号館　5211室
　　　（名古屋市昭和区御器所町）
　　　　http://www.nitech.ac.jp/access/campusmap.html

演題：

13:30-13:35
　　応用電子物性分科会幹事長 挨拶

(1)13:35-14:15
　「データセンターと直流超伝導システム」
　　片山　洋平　（さくらインターネット）

(2) 14:15-14:55
　「低温環境下でのパワーデバイス特性」
　　山口　作太郎　（中部大学）

(3) 14:55-15:35
　「GaN/Siパワーデバイスに関する研究」
　　江川　孝志　（名古屋工業大学）

　- 休憩（25分）-

(4) 16:00-16:40
　「SiCパワーデバイス」
　　山本　敏雅　（デンソー）

(5) 16:40-17:20
　「GaNパワーデバイス」
　　町田　修　（サンケン電気）

(6) 17:20-18:00
　「高温超電導線材と応用技術」
　　林　和彦　（住友電気工業）