応用物理学会　応用電子物性分科会主催
応用電子物性分科会 研究例会

紫外デバイスの最前線

　紫外デバイスは，情報分野から医療・バイオ分野，環境にいたる幅広い分野での応用が期待されており，国内外で研究開発が精力的に進められています．そこで，本研究例会では，紫外デバイス分野の第一線で活躍されている研究者の皆様をお招きし，結晶成長，評価からデバイス作製技術まで，その最前線と今後の展望についてご講演頂きます．

開催日時：2016年 6月17日（金）13:00 ～ 16:45　

場所：機械振興会館 6階 6D-4室
　　　（東京都港区芝公園3-5-8）
　　　　http://www.jspmi.or.jp/kaigishitsu/access.html

演題：

13:00-13:05
　　応用電子物性分科会幹事長 挨拶

(1) 13:05-13:45
　「AlGaN深紫外LEDの進展と今後の展望」
　　平山　秀樹　（理化学研究所）

(2) 13:45-14:25
　「サファイア上AlN緩衝層のアニールによる高品質化」
　　三宅　秀人　（三重大学）

(3) 14:25-15:05
　「AlN テンプレート上Si添加高AlNモル分率AlGaN
　　多重量子井戸の時間空間分解陰極線蛍光分光評価」
　　秩父　重英　（東北大学）

　- 休憩（20分）-

(4) 15:25-16:05
　「高効率AlGaNによる DUV（波長<300 nm) LEDチップ
　　の実現と樹脂封止技術」
　　平野　光　　（創光科学）

(5) 16:05-16:45
　「高出力近紫外半導体レーザと高輝度照明への応用」
　　瀧川　信一　（パナソニック）

受付：こちらから事前登録をお願いいたします．

参加費（テキスト代・消費税込み）
　　　　　分科会会員：2,000円
　　　　　応用物理学会会員（非分科会会員）：5,500円
　　　　　一般：8,000円
　　　　　学生：1,000円

問合せ先：久保　俊晴（名工大）　E-mail: kubo.toshiharu＠nitech.ac.jp
　　　　　荒川　太郎（横国大）　E-mail: arakawa＠ynu.ac.jp
　　　　　内田　史朗（千葉工大）E-mail: shiro.uchida＠p.chibakoudai.jp
　　（スパム対策のため，上の"＠"は全角になっています．半角の"@"に置き換えて下さい．）

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