応用物理学会　応用電子物性分科会主催
応用電子物性分科会 研究例会

酸化物材料の基礎物性とその応用

　従来酸化物材料は絶縁体としての役割を担ってきましたが，近年では透明電極やワイドギャップ半導体として，電子物性，光学物性両面から注目を集めています．そこで，本研究例会では，酸化物材料を用いた研究において第一線で活躍されている研究者の皆様をお招きし，最新の成果と今後の展望についてご講演いただきます．

開催日時：2016年 7月29日（金）13:00 ～ 16:50　

場所：首都大学東京　秋葉原サテライトキャンパス
　　　（東京都千代田区外神田1-18-13　秋葉原ダイビル12階）
　　　　http://www.tmu.ac.jp/university/campus_guide/access.html

演題：

13:00-13:05
　　応用電子物性分科会幹事長 挨拶

(1) 13:05-13:45
　「酸化物半導体の応用に向けた成長・物性の制御」
　　藤田 静雄　（京都大学）

(2) 13:45-14:25
　「酸化ガリウムパワーデバイス開発の進捗状況」
　　東脇 正高　（情報通信研究機構）

(3) 14:25-15:05
　「ZnO高移動度二次元電子系の発展と展望」
　　小塚 裕介　（東京大学）

　- 休憩（25分）-

(4) 15:30-16:10
　「酸化物プラズモニクス －3d遷移金属酸化物(V系、Zn系)
　　およびITOの光・電子物性－」
　　田畑 仁　（東京大学）

(5) 16:10-16:50
　「アモルファス酸化物半導体の欠陥制御により可能になった
　　蛍光体薄膜の室温作製」
　　神谷 利夫，雲見 日出也，細野 秀雄　（東京工業大学）

受付：こちらから事前登録をお願いいたします．

参加費（テキスト代・消費税込み）
　　　　　分科会会員：2,000円
　　　　　応用物理学会会員（非分科会会員）：5,500円
　　　　　一般：8,000円
　　　　　学生：1,000円

問合せ先：赤羽 浩一（NICT）　E-mail: akahane＠nict.go.jp
　　　　　真島 豊（東工大）　E-mail: majima.y.aa＠m.titech.ac.jp
　　　　　山口 敦史（金沢工大）E-mail: yamaguchi＠neptune.kanazawa-it.ac.jp
　　　　　中村 成志（首都大学東京） E-mail: s_naka＠tmu.ac.jp
　　（スパム対策のため，上の"＠"は全角になっています．半角の"@"に
　　　置き換えて下さい．）

トップページに戻る