応用物理学会 応用電子物性分科会主催
応用電子物性分科会 研究例会 （結晶工学分科会との連携研究会）
ワイドバンドギャップ半導体デバイス
～成長およびデバイスプロセスの理解～
ワイドバンドギャップ半導体は，これまでにない省エネルギーデバイスを生み出し，グリーン社会実現の鍵となる技術分野です．今回は，結晶・界面，プロセスにおける課題を理解し，ワイドバンドギャップ半導体デバイスの今後の展望について議論することを目的として，「応用電子物性分科会と結晶工学分科会との連携研究会」を企画しました．第一線でご活躍されている方々に下記のプログラムにて招待講演いただきます．
応用電子物性分科会研究例会では，有望な材料を網羅的に取り上げ，各材料における成長およびデバイスプロセスとデバイス特性の関係を電子物性・界面物性の理解を通して明らかにします．
結晶工学分科会（6月9日）では，実用化が進んでいる窒化物とSiCに焦点を当て，結晶成長やプロセスで生じる結晶欠陥の評価や制御について議論を深めます．
開催日時：2017年 6月8日（木）13:00 ～ 18:00
場所：大阪大学大学院基礎工学研究科シグマホール
（大阪府豊中市待兼山町１－３）
http://www.es.osaka-u.ac.jp/ja/access.html#access1
演題：
13:00-13:10
応用電子物性分科会幹事長 挨拶(1) 13:10-13:55
「MOVPE成長Siドープn型GaNの電気特性における貫通転位の影響」
須田 淳 （京都大学）(2) 13:55-14:40
「GaN系トランジスタにおけるMIS界面制御」
橋詰 保 （北海道大学）(3) 14:40-15:25
「ホール効果測定による窒化SiO2/SiC界面の
伝導帯近傍における界面準位の評価」
畠山 哲夫 （産業技術総合研究所）- 休憩（20分）-
(4) 15:45-16:30
「ALD-SiO2ゲート絶縁膜を有するSiC-MOSキャパシタ特性」
角嶋 邦之 （東京工業大学）(5) 16:30-17:15
「耐圧1 kV超Ga2O3ショットキーバリアダイオード」
東脇 正高 （情報通信研究機構）(6) 17:15-18:00
「ダイヤモンド電子デバイスの最近の進展」
嘉数 誠 （佐賀大学）
受付：こちらから事前登録をお願いいたします．
参加費（テキスト代・消費税込み）
応用電子物性分科会会員もしくは結晶工学分科会会員 2,000円
応用物理学会会員（非分科会会員）：5,500円
一般：8,000円
学生：1,000円
*分科会の賛助会社の方は分科会会員扱い(2,000円)とします．
*当日ご入会の方も分科会会員扱いとします．
問合せ先：久保 俊晴（名工大） E-mail: kubo.toshiharu＠nitech.ac.jp
重川 直輝（大阪市大） E-mail: shigekawa＠elec.eng.osaka-cu.ac.jp
中村 成志（首都大） E-mail: s_naka＠tmu.ac.jp
三宅 秀人（三重大学） E-mail: miyake＠elec.mie-u.ac.jp
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置き換えて下さい．）
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